Vivado MIG ip核使用教程（二）_mig ip核读写

作者：AllinToyou | 2024-05-20 14:44:01

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mig ip核读写

总目录

Vivado MIG ip核使用教程（一）

Vivado MIG ip核使用教程（二）

时钟	方向	功能
sys_clk_i	input	MIG ip核时钟
clk_ref_i	input	参考时钟，可给与sys_clk_i同一个时钟
sys_rst	input	系统复位
ddr3_ck_p、ddr3_ck_n	output	DDR3芯片时钟
ui_clk	output	用户时钟，DDR3读写模块使用
ui_clk_sync_rst	output	复位，高电平有效，可以取反后作为DDR3读写控制模块的复位信号来使用

举例：MIG ip核输入200M时钟（sys_clk_i），该时钟在MIG ip核中会经过分频、倍频，倍频产生400M的时钟（ddr3_ck_p、ddr3_ck_n）输出给DDR3芯片使用，分频产生100M的时钟（ui_clk）给DDR3读写模块使用。
用户时钟是，DDR3时钟的一半或1/4，当DDR3时钟频率超过350M时，二者只比只能是1/2。

连接到DDR3芯片

信号	功能
init_calib_complete	DDR3初始化完成、校准完成标志

连接到DDR3读写模块

信号	方向	描述
app_addr [ADDR_WIDTH – 1:0]	input	DDR3地址
app_cmd [2:0]	input	读/写命令
app_addr[ADDR_WIDTH – 1:0]	input	地址
app_en	input	app_en拉高时，信号app_addr[]、app_cmd[2:0]、app_sz、app_hi_pri有效
app_rdy	output	app_rdy信号拉高时，指示可以接收指令

时序图

注意： 当我们向DDR3中写入命令时，我们需要拉高app_en信号，直到app_rdy信号也拉高。这是因为只有app_en、app_rdy同时为高电平时，命令才会被写入DDR3。
app_cmd
app_cmd为读写命令端口，用来控制对DDR3进行写操作还是读操作。虽然app_cmd端口有位宽有3bit，但是它只有0、1两种状态，分别对应写、读。通过控制app_cmd端口为0还是为1即可实现对DDR3的读写切换。
app_en、app_rdy
这两个信号可以看作是FPGA与DDR3之间的握手信号。当我们使用DDR3时，我们首先需要在app_addr、app_cmd等端口上指定我们需要的值，然后拉高app_en信号，如果此时app_rdy信号也为高电平，则命令被写入DDR3。
因此，只有当app_en和app_rdy同时拉高时，命令才会被写入DDR3。

信号	方向	描述
app_rd_data [APP_DATA_WIDTH - 1:0]	output	从DDR3存储器中读出的数据
app_rd_data_valid	output	读数据有效
app_rd_data_end	output	指示当前时钟周期是读出的最后一个数据对应的时钟周期

在这里插入图片描述

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用不到的接口可以选择不连接

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