STM32F103C8T6概述

作者：Cpp五条 | 2024-04-16 08:23:17

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stm32f103c8t6

一、系统构架

STM32F103 系列的架构如下图所示：

其中包括四个驱动单元和四个被动单元。

驱动单元(图中红色框)

D-bus: DCode总线（Data code）
S-bus: 系统总线（system bus）
DMA1: 直接存储器访问1（Direct memory access）
DMA2: 直接存储器访问2（Direct memory access）

被动单元(图中绿色框)

Flash：闪存存储器
SRAM: 静态内部存储器（static ram）
FSMC: 灵活的静态存储控制器(Flexible static memory controller)
AHB总线和AHB到APBx总线: 高性能总线AHB(Advanced High Performance Bus), 高性能外设总线APB(Advanced Peripheral Bus)

二、内存映射

stm32是32位单片机，理论上会有4G(2^32)的内存空间，但是实际没有那么大。在这 4GB 的地址空间中，ARM 已经粗线条的平均分成了 8 个块，每块 512MB。

内存映射图如下所示

block2所示的外设按照APB1->APB2->AHB的顺序进行排列。

但是实际上用CubeMX生成的是如下所示


#define SRAM_BB_BASE          0x22000000UL /*!< SRAM base address in the bit-band region */
#define PERIPH_BB_BASE        0x42000000UL /*!< Peripheral base address in the bit-band region */
 
/*!< Peripheral memory map */
#define APB1PERIPH_BASE       PERIPH_BASE
#define APB2PERIPH_BASE       (PERIPH_BASE + 0x00010000UL)
#define AHBPERIPH_BASE        (PERIPH_BASE + 0x00020000UL)

AHB实际是从0x40020000开始的。

2.1 位带（bit band）

Cortex™-M3存储器映像包括两个位带 (bit-band) 区,一个在SRAM区域（block1），另一个在peripherial区域（block2）。这两个位带区将别名存储器区中的每个字映射到位带存储器区的一个位，在别名存储区写入一个字具有对位段区的目标位执行读- 改 - 写操作的相同效果。

两个位带区：

0x2000_0000‐0x200F_FFFF（SRAM 区中的最低 1MB）
0x4000_0000‐0x400F_FFFF（片上外设区中的最低 1MB）

转换公式如下：

bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset×32) + (bit_number× 4)

备注：

bit_word_addr是别名存储器区中字的地址，它映射到某个目标位。
bit_band_base是别名区的起始地址。
byte_offset是包含目标位的字节在位段里的序号
bit_number是目标位所在位置(0-31)

例子：

下面的例子说明如何映射别名区中 SRAM 地址为 0x20000300 的字节中的位 2 ：

0x22006008 = 0x22000000 + (0x300 × 32) + (2 × 4).

对 0x22006008 地址的写操作与对 SRAM 中地址 0x20000300 字节的位 2 执行读 - 改 - 写操作有着相

同的效果。

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