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VCC 电路的供电正电压 GND 电路的供电负电压 VDDD 芯片的工作数字正电压 VSSD 芯片的工作数字正电压 VDD 芯片的工作正电压 VSS 芯片的工作负电压 VREF+
ADC基准参考正电压
VREF- ADC基准参考负电压 VDDA 芯片的工作模拟正电压 VSSA 芯片的工作模拟负电压 VBAT 电池或其他电源供电 VEE 负电压供电
1.1、一般3.3V LDO供电 加多个 0.01uF 去耦电容
1.2、MCU 电源部分
两脚之间靠近芯片要加0.1uF电容,有多少组加多少个。
两脚之间靠近芯片要加滤波处理。同时分别接到VDD、VSS。
使用电池或其他电源连接到VBAT 脚上,当VDD 断电时,可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。
芯片上VCAP脚,他需要外接一个电容到地。目的是为了保证内部主调压器的电压稳定,选择不当可能会引起程序无法下载或者运行不稳定的情况。
有三种复位方式:上电复位、手动复位、程序自动复位
通常低电平复位:(51单片机高电平复位,电容电阻位置调换)
上电复位,在上电瞬间,电容充电,RESET出现短暂的低电平,该低电平持续时间由电阻和电容共同决定,计算方式如下:t = 1.1RC(固定计算公式) 1.1*10K*0.1uF=1.1ms
手动复位:按键按下时,RESET和地导通,从而产生一个低电平,实现复位。
一些 STM32 产品能够,通过 PDR_ON 引脚电平进行控制实现内部电源监视器使能/禁止。这个管脚大于1V小于2V就会有复位动作,如果是稳定的3.3V供电就接高电平也可以接低电平,如果是不想让复位就接低电平,接低电平外部电压过低不会复位。
1)对于100脚或144脚的产品,OSC_IN应接地,OSC_OUT应悬空。
2)对于少于100脚的产品,OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性。
外部可选择外部高速时钟 或 外部低速时钟 32.768kHZ。
晶振:一般选择 8MHZ 方便倍频。有源晶振、无源晶振 最大区别:是否需要单独供电 。
起振电容作用:
1)、使晶振两端的等效电容等于或接近于负载电容;
2)、起到一定的滤波的作用,滤除晶振波形中的高频杂波;
该起振电容的大小一般选择10~40pF,当然根据不同的单片机使用手册可以具体查阅,如果手册上没有说明,一般选择20pF、30pF即可,这是个经验值。调整电容可微调振荡频率:一般情况下,增大电容会使振荡频率下降,而减小电容会使振荡频率升高。
晶振并联电阻作用:负反馈 、限流。
1)、连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器,将输入进行反向180度输出,晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移; 整个环路的相移360度,满足振荡的相位条件,
2)、 晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,一般在M欧级;一般1MΩ。
3、 限流的作用,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振,有的晶振不需要是因为把这个电阻已经集成到了晶振里面。
用户使用通常都设置成Boot0 Boot1均为0即均为低电平 。
M3核的器件有3种启动方式,M4的有4种。通过BOOT0,BOOT1的电平进行选择。
STM32三种启动模式对应的存储介质均是芯片内置的,它们是:
1)用户闪存 = 芯片内置的Flash。
2)SRAM = 芯片内置的RAM区,就是内存啦。
3)系统存储器 = 芯片内部一块特定的区域,芯片出厂时在这个区域预置了一段Bootloader,就是通常说的ISP程序。这个区域的内容在芯片出厂后没有人能够修改或擦除,即它是一个ROM区,它是使用USART1作为通信口。
M4在上述基础上又增加了可在FSMC的BANK1区域启动。
STM32有两种调试接口,JTAG为5针, SWD为2线串行(一共四线),下图是SWD
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