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FPGA编程:单端口RAM(一)——实现高效存储
在FPGA编程中,RAM是实现高速并行计算的重要组件之一。单端口RAM是最基本的RAM类型之一,通常用于数据存储、读取和写入操作。本文将介绍如何使用Verilog语言实现一个简单的单端口RAM,以及如何测试和验证它的功能。
实现单端口RAM有两个主要的步骤:首先是定义内存存储单元的结构和数据读/写端口,然后编写存储单元的读/写逻辑。以下是代码实现:
`timescale 1ns/1ns // 定义时间刻度 module single_port_ram( input clk, input write_enable, input [9:0] write_address, input [15:0] write_data, input [9:0] read_address, output reg [15:0] read_data ); reg [15:0] memory [1023:0]; // 定义存储单元数组 always@(posedge clk) begin if(write_enable) begin memory[write_address] <= write_data; // 写逻辑 end read_data <= memory[read_address]; // 读逻辑 end endmodule
这段代码实现了一个1024 x 16位的单端口RAM,具有写使能、写地址、写数据、读地址和读数据端口。在时钟的上升沿,当写使能信号为高电平时,写逻辑将数据写入指定地址的存储单元中。在任何时刻,读逻辑都能够从指定地址的存储单元中读取数据。
接下来,我们需要测试和验证这个单端口RAM的功能是否正确。以下是测试代码与虚拟时钟:
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