LPDDR4---retraining_lpddr4 dqs oscillator

前言-为什么需要retraining？

LPDDR4在设计的时候，为了降低功耗，在颗粒内部没有放置DLL用于稳住CK与DQS之间的相位对齐，DQS和CK之间的相位会随着温度变化而发生偏移。所以对于读来讲，CK与DQS之间的延迟参数tDQSCK是会随着温度而发生变化，从而影响PHY端准确地将DQ数据采样。

在写方面为了降低功耗，DQ与DQS之间在颗粒内部没有做延迟对齐。所以DQ与DQS之间的颗粒内部的延迟tDQS2DQ也会随着温度发生偏移。

所以为了防止偏移导致读写时序不满足，所以需要及时做retraining进行补偿。

两个参数tDQS2DQ和tDQSCK

tDQSCK

tDQSCK是指颗粒内部读命令发出到RDQS能从颗粒发出的时间。主要会受颗粒内部延迟偏移的影响。

其有一个变化范围：可以发现延迟会在几个ns，在高速频率下会超过一个周期，从而影响read gate采样的位置。

tDQS2DQ

针对写，颗粒内部DQ与DQS的延迟是不一致的，颗粒内部DQS与DQ之间的延迟是tDQS2DQ

Read Gate retraining

tDQSCK主要影响read gate的位置。所以需要重新做一遍简单的read gate training。

Write DQ to DQS retraining

LPDDR4颗粒内部提供了一个DQS回环振荡器，用于测量tDQS2DQ。

（1）通过发送MPC命令START DQS OSCILLATOR（OP[5:0] =101011b），

（2）对于运行多长时间，颗粒提供了两种方案：

方案1：经过一段时间，通过MPC命令STOP DQS OSCILLATOR停止回环振荡，

方案2:通过设置MR23，设置运行多久，然后不需要发送MPC停止，自动停止

（3）最终通过MRR，读取MR18和MR19，测试结果通过MR18,MR19读出。

方案1：

方案2：

时序要求：

波形说明

这里介绍一下retraining的仿真波形。

（1）要进行retraining之前，需要让颗粒进入self-refresh，让mem arry的数据保持住。

（2）MRW配置MR23，设置DQS 振荡器计数时间。

（3）发送MPC START DQS OSCILLATOR，打开振荡器。

（4）配置MR32,MR40,MR15,MR20，配置做read gating training的数据pattern。

（5）这里没有采用read gating training的方式，而是采用读MR0，调节read gating 的位置。

（6）然后进入Read DQ Calibration Training，再次确认tDQSCK是否补偿完成。读retraining完成。

（7）然后此时DQS振荡器已经停止，满足时序要求后，读取MR18和MR19的值，将DQS2DQ的值补偿到PHY内部。

（8）退出self-refresh。