vasp 安装_vasp第一性原理初学者必看从基础入门到模型操作

VASP 初学者必读

初学VASP(一) what’s it?

它的好处主要包括

基组小适于第一行元素和过渡金属，

大体系计算快(<4000价电子)，

适于平行计算(Unix/Linux)

其他特性还包括自动对称性分析、加速收敛算法另文涉及。

一个简单的VASP作业主要涉及四个输入文件：

INCAR(作业细节) POSCAR(体系坐标) POTCAR(赝势) KPONITS(k空间描述)

初学VASP(二) 布里赫定理

本文简单介绍点能带理论的基础知识 以利于后文讨论

布里赫(F.Bloch) 参考书：《固体能带理论》谢希德 陆栋 主编

材料基因工程是近年来国际材料领域兴起的颠覆性前沿技术，随着国内计算机技术的快速发展，多尺度材料模拟计算成为材料研究中不可或缺的一部分。计算材料学主要致力于建立可预测或可描述的模型，以帮助研究材料的内在机理并减少新材料开发的时间和成本。VASP是目前材料微观反应机理和计算材料电子结构性质科学研究中最流行的一款软件，它可以处理金属及其氧化物、半导体、晶体、掺杂体系、纳米材料、分子、团簇、表面体系和界面体系等。

材料基因工程是近年来国际材料领域兴起的颠覆性前沿技术，随着国内计算机技术的快速发展，多尺度材料模拟计算成为材料研究中不可或缺的一部分。计算材料学主要致力于建立可预测或可描述的模型，以帮助研究材料的内在机理并减少新材料开发的时间和成本。VASP是目前材料微观反应机理和计算材料电子结构性质科学研究中最流行的一款软件，它可以处理金属及其氧化物、半导体、晶体、掺杂体系、纳米材料、分子、团簇、表面体系和界面体系等。

二、时间地点：

2020年5月30日-31日 在线直播（授课2天）

2020年6月11日-14日 线下（第一天报道、授课3天）

“第一性原理计算方法及应用”线上+线下实战培训班课程内容

一、VASP基本原理及计算准备（基础篇） 课程1 VASP原理及Linux入门基本介绍

1.1密度泛函理论和VASP基本原理简介

1.2 Xshell远程登陆服务器的操作技术

1.3 Linux下常用命令(包含bash编程基础)

1.4 Linux下常用编译器安装方法

课程2 Linux常用命令与VASP输入出输出文件介绍

2.1 Linux常用命令(文本查找，批量提交任务，grep/sed/awk等)

2.2 VASP输入输出文件介绍(INCAR，KPOINTS，POSCAR，POTCAR，OUTCAR等)

2.3与VASP相关搭配常用辅助软件介绍

课程3 VASP编译安装及结构建模介绍

3.1VASP编译安装（vaspkit安装，qvasp安装及其它常用工具）

3.2 利用Materials Studio软件或者数据库建立乙醇分子模型和Si模型

3.3纳米管搭建技巧，界面模型搭建技巧：晶格匹配

3.4 通用手绘计算模型技巧（专题）

二、VASP相关参数置技巧及参数收敛性测试（升阶篇） 课程4 VASP输入参数设置技巧

4.1 INCAR参数的设置（ENCUT, ISIF, EDIFF, EDIFFG, HSE06, LDA+U，VDW等）

4.2 K点的设置方案 (Mesh, Line-Mode以及Rec直接标注权重)

4.3赝势的选择及快速生成方法

课程5 VASP结构优化

5.1 晶体结构的优化设置：通过实例Pt晶体优化来了解VASP的参数设置

5.2 设置参数的最简易方法，以及归类、总结和技巧

5.3 自洽、非自洽、电荷密度文件、波函数文件、总能的相关解释及用途。

课程6 VASP收敛性测试

6.1测试脚本的编写及介绍 （测试的目的，意义）6.2 截断能收敛性测试

6.3 K点收敛性测试6.4 其他收敛性测试（表面层数，sigma等）

三、稳定性、电子结构、光学性质、缺陷性质（实战篇：材料计算专题） 课程7 VASP材料理化性质计算及结果分析

7.1 材料的稳定性计算

7.1.1 热力学稳定性

7.1.1.1 相稳定性

7.1.1.2 最优分解路径

7.1.2 动力学稳定性

7.1.2.1 0K声子谱

7.1.2.2 有限温度声子谱

7.2 材料的电子结构计算

7.2.1 能带基础知识介绍

7.2.2 CsPbI3能带计算(PBE和HSE)与分析

7.2.3 CsPbI3态密度计算与分析

7.2.4 电子有效质量计算

7.2.5 电荷密度与部分电荷密度

7.3 VASP光学性质计算

7.3.1 CsPbI3的介电常数实部和虚部

7.3.2 CsPbI3的光吸收系数

7.3.3 CsPbI3的联合态密度和跃迁矩阵元

7.3.4 CsPbI3的跃迁允许和跃迁禁阻分析

7.4 VASP本征缺陷计算

7.4.1 CsPbI3的相图

7.4.2 缺陷的转变能级

7.4.3 缺陷的形成能

7.5 特殊体系的设置方案

7.4.1 HSE06杂化泛函的设置方法

7.4.2 强关联体系的设置方法（LDA+U）

7.4.3 GW0参数的设置

7.6 实例解析：Cs2AgInCl6和Cs2InBiCl6的热稳定性和光吸收性质分析

四、吸附、过渡态以及电荷分析（实战篇：催化反应专题） 课程8 VASP表面催化反应计算及结果分析

8.1 固体表面具有催化活性的本质原因解析

8.2 基元反应和复杂反应在固体表面催化反应研究中的关系

8.3 VASP表面吸附

CO吸附在Pt表面计算（吸附能模型和吸附能）

8.4 VASP电荷分析

8.4.1 电荷拆分

8.4.2 Bader电荷计算与结果处理

8.4.3 ELF计算与结果处理

8.5 VASP过渡态搜索

8.51 插点和过渡态搜索

8.52 频率分析及零点能矫正方案

8.53 消虚频的方法

8.6 实例解析：Pd(111)表面用H2催化消除NO的第一性原理研究