RAM存储器_双口ram和单口ram

RAM是存储器分类的一个分支，属于静态存储器， RAM是逻辑设计中非常重要的一个特性， RAM一般包括单端口 RAM Single Port RAM），双端口 RAM设计（ Two Port RAM），真双端口 RAM设计（ Dual Port RAM ）。

半导体存储器包括随机存储器和只读存储器，随机存储器RAM也包括静态RAM和动态RAM，其中动态RAM包括SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM，DDR3 SDRAM以及DDR4 SDRAM等。DDR SDRAM是目前非常流行也比较复杂的存储器，特点是容量非常大，速度也很高，掉电数据丢失。DDR SDRAM一般是单独的存储芯片。

静态RAM一般包单端口RAM（Single Port RAM，缩写SP RAM，只有一个读写口，同一个时刻只能发起或写），双端口RAM设计（Two Port RAM，缩写TP RAM，也叫伪双口，一个端口只能读，一个端口只能写），真双端口RAM设计（Dual Port RAM，缩写DP RAM，每个端口都可以进行读或者写操作），特点是容量相对不是很大，速度非常高，掉电数据丢失。静态RAM在FPGA或者ASIC设计中都是非常重要的一个器件，可以说寄存器、组合逻辑和静态RAM构成了整个数字电路体系，足见静态RAM的重要性。

只读存储器包括PROM，EPROM，EEPROM等，目前EEPROM用的相对比较多，特点是容量相对较小，存储的一般是不易丢失的信息，比如网口或者USB 2.0芯片一般会配有一个EEPROM存储相关的固件信息。

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几种 RAM的特性和区别：

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一般选择RAM根据功能需求和带宽需求来选择，最合适的就是最好的。

1、 比如我们需要读一个配置，这个配置只在上电的时候CPU配置一下就好了，其他的时候不需要写操作，那么我们直接选择单口RAM即可，只需要一个端口即可，要么是写操作，要么是读操作。

2、 比如我们需要使用FIFO（先进先出存储器）来存储数据，就可以选择伪双口RAM即可，一个写口，一个读口，且读和写可以同时发生。

3、 比如我们要实现一个对10000个车厢进行人数计数的功能，车厢有两个门，一个门只上车，一个门只下车，上车时候需要再原有人数基础上加一，下车时候需要在原有人数基础上减一，每个时刻都可能有人上车和下车，那么要使用逻辑统计这么多车厢的人数时，就需要有两个写端口的RAM，深度为10000，这个就需要使用真双端口RAM。因为如果使用寄存器资源进行统计，仅这个10000个车厢的计数就可能把FPGA寄存器资源耗尽。

RAM和FIFO的区别：

1、 RAM是指有地址线、数据线和使能的存储单元，可以通过地址对任意地址进行读写访问。FIFO也是一个端口只读，另一个端口只写。FIFO与伪双口RAM的区别在于，FIFO为先入先出，没有地址线，不能对存储单元寻址；而伪双口RAM两个端口都有地址线，可以对存储单元寻址；

2、 使用场景不一样，FIFO一般放在传输带宽不一致的地方，用来吸收流量突发，而RAM一般用在需要根据地址进行写或者读的地方，比如存储一些配置信息。

单口RAM

单端口RAM指的是只有一个读写口，就是只有一组数据线和地址线，就是读和写都是通过这个口来访问RAM，但是同一个时刻只能访问一个，要么是读，要么是写。下图是一个Intel的单端口RAM模型。

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Intel单端口 RAM一般由如下信号构成：

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RAM还有一个重要的特性是 RAM读延迟，就是 RAM发起读，然后读数据有效的周期数 。 这个延迟一般是1，如果 RAM输出再因为改善时序寄存一拍，那么 RAM的读延迟就是 2。 如下所示，在读 使能为 1且地址有效 的情况下（ WEA为 0 ENA为 1）， 下一拍 DOUTA即为读到的数据 ，一般来说，读使能和读地址不发生变化， DOUTA不会发生变化 。

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另外RAM读数据只使用 RAM读有效时的读数据，没有发起读的时候，读数据 一般 不建议使用，因此此时的读数据 依赖于 RAM模型 的特性 ，有 可能是不确定的值。

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伪双端口RAM

伪双端口RAM指的是有两个读写端口，但是一个端口只能读，一个端口只能写 ，伪双端口 RAM一般叫 TP RAM。 一般 FIFO内部例化的 都是伪双端口 RAM。
伪双 端口 RAM 伪双 端口 RAM指的是有两个读写口，就是有两组数据线和地址线，一组是写数据线，一组是读数据线 ，同一个时刻 写和读可以同时 访问。下图是一个 Intel的 伪双端口 RAM模型。

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Intel伪双 端口 RAM一般由如下信号构成：

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TP RAM还有一个重要的特性是 RAM读延迟，就是 RAM发起读，然后读数据有效的周期数。这个延迟一般是 1，如果 RAM输出再因为改善时序寄存一拍，那么 RAM的读延迟就是 2。如下所示，在读使能为 1且地址有效的情况下（ ENB为 1），下一拍 DOUTB即为读到的数据，一般来说，读使能和读地址不发生变化， DOUTB不会发生变化。

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另外RAM读数据建议只使用 RAM读有效时的读数据，没有发起读的时候，读数据一般不建议使用，因此此时的读数据依赖于 RAM模型的特性，有可能是不确定的值。（与单端口RAM一致）

TP RAM有一个问题，就是读和写有两个端口，两个端口可以同时发起读和写，那么如果读和写同时有效且读和写是同一个地址时，此时读数据是否还是正确的数据呢， 这个情况属于RAM读写冲突，属于逻辑设计中非常重要的一个特性处理 。
一般设计中发起读写冲突，此时的读数据很可能是无效的读数据，因此一般读写冲突时候，会把最新的写数据直接赋给读数据，此时叫做 写 穿通到读 。 如下图所示：

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从图中我们可以看出，Cycle 2读和写地址不同，读可以正常读到数据，但是到 Cycle 3时，读和写地址相同且读写都有效，此处如果不做特殊处理，那么读数据是无效的。需要我们把写数据寄存一拍同步到读侧。
Verilog一般这样处理：先产生一个冲突信号，使用时序逻辑产生，读写冲突的下一拍有效，然后使用这个信号做判断，如果这个信号有效，则 dout直接使用 din_dly1（写数据寄存一拍的数据）赋值，否则使用 q信号。

always @ (posedge clk or negedge rst_n) begin 
 if (rst_n == 1'b0) 
 conflict <= 1'b0 ; 
 else if ( wen && ren && (waddr == raddr )) 
 conflict <= 1'b1 ; 
 else 
 conflict <= 1'b0 ; 
 end 
 
 assign dout = conflict ? din_dly1 : q ;

真双端口RAM

下面我们来看下真双端口RAM。真双端口 RAM指的是有两个独立的读写口，就是有两组数据线和地址线，一组是读或者写数据线， 另外一组也是读或者写数据线，同一个时刻两个端口可以同时访问 ，两个端口可以是读和读，也可以是写和读，还可以是写和写 。下图是一个 Xilinx的真双端口RAM模型， Intel的真双端口RAM模型也是类似的，实际上 ASIC中的真双端口RAM也是类似的。

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真双端口RAM一般由如下信号构成：

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DP RAM的 读写冲突 问题比 TP RAM要复杂很多 为什么会复杂很多呢？这个是因为 DP RAM的端口数比较多，所以冲突处理也比较复杂，不像 TP RAM只有读和写冲突。如下表列出冲突组合情况：

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其中端口A和 B的读写冲突和 TP RAM的情况 完全相同 ，只不过有端口 A和端口 B发生读和写冲突和端口 A和端口 B发生写和读冲突两种情况 ，哪种情况处理都是需要把最新的写数据寄存一拍赋值给读数据 ，此处不再赘述 。
DP RAM引入 了一个写和写冲突 ，我们先来看下 什么是写写冲突，写写冲突 表示两个端口写写使能同时有效且写和写地址相同。
写写冲突发生时候，逻辑需要关断一个写，把两个写端口都需要更新的值处理到一个写端口上面。因为任何的 DP RAM都不支持写和写冲突，如果发生了，那么最终的 写 数据就是不确定的值。
举个例子：有一个 DP RAM A口为入向功能累加更新，假设每次累加 2个， B口为出向功能递减更新，假设每次递减 1个，那么正常情况下，每次都是 A口读出之前的值，再加个 2，然后回写回去。 B口读出之前的值，再减个 1，然后回写回去 。 但是当A和B发生写写冲突的时候，此时逻辑需要关断一个写，关断 A口还是B口都是可以的，但是更新的值需要是处理后的值，处理后的值也就是先加 2再减 1，就是一个端口加 1就可以了，另外一个端口不用回写。写写冲突发生的情况，如下图所示：

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可以看出Cycle 3周期两个端口写写使能同时有效且写和写地址相同，发生写写冲突，此时逻辑需要做特殊处理，也就是把两个写端口都需要更新的值处理到一个写端口上面。如下图所示：

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从图中我们可以看出， Cycle 2写 和写地址不同， 两个写端口不用特殊处理 Cycle 3时 把两个写端口都需要更新的值处理到一个写端口上面，值更新 A端口， B端口关断 。