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由于运放输入回路的不对称性,在输入端将产生一定的误差信号,从而限制运放信号灵敏度。通
常用输入失调电压(VOS)、输入失调电流(Ios)和输入偏置电流(IB)表示。
运放有四个主要特征:输入失调特征、开环特征、共模特征及输出特征。其放大倍数较大,由于
外界的影响,即使运放的输入端产生较小的输入信号,经过放大,在输出端也会产生较大的误差。为能精确测量其性能,一般采用辅助运放进行测试。下面着重讲了运放的主要参数及如何精确测量这些参数。文中DUT代表被测运放,A代表辅助运放。
输入失调电压(VOS)定义:使输出电压为零(或规定值)时,运放两输入端间所加的直流补偿电压。
测试电路原理图如下:
图中Cin电容可有效避免环路产生振荡,辅助运放A输出电压Vm是被测运放DUT失调电压的Rf/Ri 倍。
测试方法:
①通过 VI 源施加规定的被测运放电源电压VCC、VSS;
②在辅助运放A输出端测量输出电压Vm;
③输入失调电压计算公式: Vos = Vm /(Rf / RI)。
测试电路原理图如下:
VO= (VOS + IOS*RI) *(1+RF/RI)
当IOS*RI << VOS ,VOS = VO/(1+RF/RI)
单管法可能存在较大的测量误差,VO输出电压可能为几伏(假设DUT开环增益较小)。这要求在运算放大器输入端有较小的额外差分电压,以形成输出摆幅。这个较小的额外差分电压在计算中并没有从VOS 中区分,从而会影响VOS 测试精度。
使用特殊的双运放测试电路,可以控制输出电压并测量失调电压 ,以及计算开环增益。
理想运算放大器具有无限大的输入阻抗,无电流流入其输入端。现实中,会有少量偏置电流流入反相和同相输入端,一般是nA或pA级,其值越小越好,其大小反映了输入级两个晶体管β值的失配程度。它们会在高阻抗电路中引起显著的失调电压。这种偏置电流极小,需要辅助外围才能精确测出这类电流。
测试电路原理图如下:
输入失调电流Ios:在规定的电源电压下,使输出电压为零或规定值时,流入两输入端的电流之差。
输入偏置电流IB:使输出电压为零或规定值时,流入两输入端的电流的平均值。
它们的测试原理图与失调电压电路基本相同,只是在被测运放DUT的两输入端加入采样电阻Rs,这些电阻可以通过开关K1 和K2 控制。当两个开关均闭合时,该电路与测Vos电路完全相同。当K1断开时,反相输入端的偏置电流流入Rs,电压差增加到失调电压上。通过测量辅助运放A输出电压Vm的变化可以计算出反相端偏置电流IBN。同样,当K1闭合且K2 断开时,可以测量同相端偏置电流IBP。Rs 的阻值取决于要测量的电流大小,如电流若是10nS左右,Rs电阻可选用200KΩ的电阻。
测试方法:
①通过 VI 源施加规定的被测运放电源电压 VCC、VSS;
②K1,K2闭合,在辅助运放A的输出端测得电压Vm0;
③闭合K1,断开K2,在辅助运放A的输出端测得电压Vm1;
④断开K1,闭合K2,在辅助运放A的输出端测得电压Vm2。
计算如式(1)~式(4)。
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