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我是从这学来的,嫌麻烦可以看视频
https://www.bilibili.com/video/BV19F411B7V8?from=search&seid=10195893809605231446&spm_id_from=333.337.0.0
温度高时,晶格内的电子热运动加大,占据空间变大,(这里看起来更容易撞到了);少子在加速过程中,变得容易与电子相撞,但这时没有足够的能量使电子本征激发;
于是温度高,击穿电压反而高了
齐纳击穿雪崩击穿两种击穿形式,在稳压管中大概以6V为界限,
6V一下的稳压管用齐纳击穿
6V以上用雪崩击穿
两种击穿的区别是掺杂的杂质浓度不通;
用齐纳击穿的PN结,掺杂浓度高
雪崩击穿的掺杂浓度低
齐纳击穿:之间因为电场够大,让稳定的电子有足够的能量本征激发,产生大的电流
雪崩击穿:通过少子对晶格内电子碰撞,让电子本征激发,,产生少子,一个少子撞出两个,两个撞出四个,形成大的电流(需要少子有足够长的加速时间,产生足够撞出本征激发的速度)
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