stm32的HAL库函数flash无法写入的问题_stm32 flash写入不成功

记录一下对flash编程操作时出现的问题以及解决办法

问题：在使用HAL库中的HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)函数时发现总是没办法写入（明明写之前使用void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress)函数擦除了flash），查阅资料说是可能是因为固件库HAL_FLASH_Program函数有问题，建议换成寄存器直接操作，但是换成后发现仍有问题，读写入地址的数据任然是0xffffffff。

多次尝试发现，在第一次使用FLASH_PageErase擦除flash以及HAL_FLASH_Program写flash，烧录后，读取写入地址数据是0xffffffff，但是紧接着在代码中注释掉FLASH_PageErase这行，再次烧录，就会发现写入地址处的数据是程序中要写的数据，但是reset后就会发现，HAL_FLASH_Program函数的写入状态有问题，如下图所示：

以上可以猜测一下，可能是固件库 FLASH_PageErase函数有问题，选择用寄存器直接操作，直接照搬正点原子的寄存器函数，如下所示：

static uint8_t stmflash_get_error_status(void)
{
    uint32_t res;
    res = FLASH->SR;
 
    if (res & (1 << 0))return 1;    /* BSY = 1      , 忙 */
    if (res & (1 << 2))return 2;    /* PGERR = 1    , 编程错误*/
    if (res & (1 << 4))return 3;    /* WRPRTERR = 1 , 写保护错误 */
    
    return 0;   /* 没有任何错误 操作完成. */
}
 
static uint8_t stmflash_wait_done(uint32_t time)
{
    uint8_t res;
 
    do
    {
        res = stmflash_get_error_status();
 
        if (res != 1)
        {
            break;      /* 非忙, 无需等待了, 直接退出 */
        }
        
        time--;
    } while (time);
 
    if (time == 0)res = 0XFF;   /* 超时 */
 
    return res;
}
 
/**
 * @brief       擦除扇区
 * @param       saddr   : 扇区地址 0 ~ 256
 * @retval      执行结果
 *   @arg       0   : 已完成
 *   @arg       2   : 编程错误
 *   @arg       3   : 写保护错误
 *   @arg       0XFF: 超时
 */
static uint8_t stmflash_erase_sector(uint32_t saddr)
{
    uint8_t res = 0;  /* STM32F103擦除的时候是指定半字地址 */
    res = stmflash_wait_done(0X5FFFFF);     /* 等待上次操作结束, >20ms */
 
    if (res == 0)
    {
        FLASH->CR |= 1 << 1;    /* 页擦除 */
        FLASH->AR = saddr;      /* 设置页地址(实际是半字地址) */
        FLASH->CR |= 1 << 6;    /* 开始擦除 */
        res = stmflash_wait_done(0X5FFFFF); /* 等待操作结束, >20ms */
 
        if (res != 1)   /* 非忙 */
        {
            FLASH->CR &= ~(1 << 1); /* 清除页擦除标志 */
        }
    }
 
    return res;
}

然后主函数中添加如下代码：

/* USER CODE BEGIN 1 */
	__IO uint32_t addr = 0x08020000;
	uint32_t applength = 0;
	uint16_t status;
/* USER CODE END 1 */
 
/* USER CODE BEGIN 2 */
	printf("更换为正点原子的寄存器擦除函数后的结果：\r\n");
	HAL_FLASH_Unlock();
  stmflash_erase_sector(addr);
	status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, 0x01f360b45);
	HAL_FLASH_Lock();
	applength = *(uint32_t *)addr;
	printf("写入flash中的数据是%x\r\n",applength);
	printf("flash的写函数返回值是%x\r\n",status);
/* USER CODE END 2 */
 

 烧录后结果以及reset结果如下：

成功解决问题 ！