nand flash的读写操作_nandflash 读写时序

作者：盐析白兔 | 2024-06-11 16:57:24

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nandflash 读写时序

在使用nand flash之前需要对其进行必要的配置，主要有这几件事要做：

1.根据date sheet在NFCONF寄存器中设置读、写的时间参数（TACLS、TWRPH0、TWRPH1）

2.在NFCONT控制寄存器中使能nand flash控制器并片选（如需置1，先将所需的位bic,再置1）

3.进行复位（复位主要操作有：选中芯片，清除RnB，发出复位命令，等待，取消选中）

复位时序图如下：

开发板上的nand flash的结构图如下：

每页有2k的存储空间，其右面的64B为OOB(out of bank)，用来存储校验码，控制寄存器会自动忽视每页最后的64B字节空间，A0~A11为每页上的列地址，A12~A30为页地址，NFADDR寄存器虽是32位寄存器，但其8~31位为保留位，所以其每次传送可8位有效数据

因为每块nand flash有512k容量，其引脚数很少，所以其引脚为复位操作

nand flash的读操作时序图如下：

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