ue4 渲染学习笔记_ue4查看场景面数

渲染相关常用的CMD

• Stat Initviews 统计初始画面 会在界面上显示遮挡的概述
• Freezerendering 冻结当前的遮挡，可以看到那些被遮挡了没有渲染。那些渲染了
• stat RHI 可以查看Draw Call,三角面的个数，针对当前的画面；
• stat unit 显示每帧时间，游戏，GPU,绘制时间，在检查性能问题时要先看看这个。

渲染性能分析

• 一般两千到3千的DrawCall是合理的。五千时就很高了，超过五千就可能出问题了。对于VR和手机一般是一千次左右
• 对于一个场景中三角形的数量不一定是造成性能问题的关键，可能是因为物体的材质过于复杂，导致DrawCall过高引起的。
• 每个DrawCall都会有一些基础损耗
• 对场景有着苛刻的要求，希望它能保持逼真的外观， 延迟渲染器较为适合
• 对于要求使用多重采样抗锯齿（MSAA）的项目，向前渲染器较为合适
• GBuffer 它会创建渲染过程后期各阶段需要的所有信息。来帮助实现实时渲染
• 过度使用半透明材质会导致丢帧，这是因为 每个材质都会添加要与其后像素混合的新图层。
• 在创建场景时应始终以特定的帧率为目标。在时间方面，可以将毫秒值作为目标。
• 动态阴影对性能的消耗较大，这个是阴影投射网格体的多边形数量造成的。
• 绘制线程用于计算场景中的遮蔽
• 游戏线程计算动画和处理逻辑
• GPU线程在屏幕上对场景进行着色和绘制

降低DrawCall的一些方法

• 最好使用少量大型模型，而不是大量小型模型，要注意寻找平衡
• 最好减少模型数量，增大模型尺寸，这样可以节省一定内存
• 可以在场景中合并一些消耗大的网格体，只有出问题的时才需要进行
• 可以使用实例化静态网格体渲染提升性能，这个适用于海量的对象如场景中的草之类的。不要用于孤立对象使用比较少的对象。
• 注意使用Lod，HLod

着色器

• 顶点着色器——可以使用顶点着色来制作一些动画，节省CPU性能效果也会比较好，如草地，旗帜。着色器是进行了优化的可以达到很好性能，其中本身的模型并没有移动，只是在渲染的时候进行了位移，碰撞物理啥不会受到影响。这种操作只能用于渲染效果。
• 过度着色——Lod有利于过度着色，距离越远像素密度越大，着色越慢，通过减少面数可以改善过度着色
• GBuffer——一组以不同方式渲染的场景图像，用于延迟渲染；会缓存一组不同属性的图片，这个会占用较多内存，一般我们不能对他做处理。
• UE的材质最后都会编译成着色器，而且会编译比较多的着色器（这个是出于性能的考量）
• Dx的shader语言HLSL

纹理和材质

• 当纹理导入UE4的时候会自动进行压缩，可以节省内存和带宽。
• 使用多级纹理可以让场景噪点更少。
• 材质的宽和高必须有一个是2的次幂。
• 材质采样的纹理有上限，一般是16个，能用的是13个。有些间接性的纹理会占用位置。
• 反射捕获 ——并不精确，但是非常快，需要预先计算；局部范围。数量最好不要超过8个。
• 平面反射——使用于平面，可以实时，但是消耗比较大。局部范围。
• SSR——屏幕空间反射，默认启用，能反射所有的对象，实时反射；有噪点，损耗大只会反射当前可见的内容，会失真

光照

• 静态光照——通过事先的烘焙，把光照和阴影信息存储到Lightmaps中，在渲染的时候会读取贴图的信息加入到对应的物体上。光照贴图的大小会影响内存。
• 衰减半径很大或者源半径很大的光源会增加重新构建的时间，为了使用关照贴图，需要模型有光照的UV
• 阴影——常规动态阴影；逐个对象阴影（固定光源阴影）；级联阴影；距离场阴影（UE4实用）；有插图阴影；接触阴影；胶囊体阴影（不常用 ）
• 对于光源尽量减少重叠，降低半径，调整最大的绘制距离
• 透明物体的渲染非常消耗，如果要使用透明物体，它的材质要尽量简单；最好能使用一些其他方式进行仿造。
• 光源和衰减半径，光照贴图分辨率和烘焙设置，两个因素会影响静态光照的Lightmass烘焙时间
• 间接光照缓存（或体积光照贴图），对动态网格体给予光照
• 建议根据网格体大小，靠近相机镜头、考虑内存约束并与其它网格体保持一致，选取不会对质量造成明显可见的牺牲的最低可行选项。来确定场景中对象的光照贴图分辨率
• 具有较高多边形计数的场景，在同一片区域存在大量投射阴影的光源，这种场景下会造成动态和CSM阴影方法开销增加
• 后期处理效果 在渲染结束时应用