Flash的读写机制_flash读写

NOR Flash

是一种非易失性存储技术，它允许电脑和其他电子设备在断电后仍然保留数据。它的读写机制包括以下几个方面：

1. 读取机制：NOR Flash通常支持按字节进行读取。这意味着可以随机访问存储器中的任意位置，并读取单个字节的数据。这种按字节读取的特性使得NOR Flash特别适合于存储程序代码，因为处理器可以直接从NOR Flash中执行代码。

2. 写入机制：写入NOR Flash涉及到先擦除然后编程（写入）。首先，选定的存储区域（通常是一个块）会被整体擦除，这意味着所有的位都被设置为1。然后，数据被编程到这些单元中，通过改变特定位的值来存储数据（通常是将位从1改变为0）。

3. 擦除操作：NOR Flash的擦除是按块进行的，而不是单个字节。擦除操作会将一个块内的所有位重置为默认状态。

4. 耐用性与擦写周期：NOR Flash有限的擦写周期。每次擦除和重写操作都会对闪存单元造成一定的损耗，最终导致该单元失效。

5. 块的大小： Nor Flash的块大小一般为64kB、128kB。具体的块大小取决于制造商和特定的NOR Flash产品。

NOR Flash由于其快速的读取速度和可靠的数据存储特性，通常用于存储固件或者引导代码，如BIOS芯片中。但其擦写速度相对较慢，并且成本高于其他类型的Flash存储，如NAND Flash。

NAND Flash

是另一种类型的非易失性存储技术，广泛用于USB闪存盘、SSD硬盘等。与NOR Flash相比，NAND Flash有不同的读写机制：

1. 读取机制：NAND Flash通常按页进行读取。每个页可能包含几千字节数据（例如，2048字节或4096字节）。虽然不能像NOR Flash那样按字节随机访问，但其顺序读取速度非常快。

2. 写入机制：NAND Flash的写入也是按页进行的。在写入数据之前，必须先擦除一个更大的数据块。一个块包含多个页，例如64页或128页。

3. 擦除操作：与NOR Flash类似，NAND Flash的擦除操作是按块进行的。一个块内的所有数据页需要被整体擦除，才能进行新的写入操作。

4. 页与块的大小：NAND Flash的页大小通常是256B，512B，2048B，4096B，而块的大小是32K, 64K, 128K，这取决于具体的NAND Flash架构。

5. 耐用性与擦写周期：NAND Flash同样具有有限的擦写周期。由于其擦除操作是按块进行的，频繁的写入和擦除操作会逐渐降低特定块的可靠性。

由于其较高的存储密度和较低的成本，NAND Flash成为了移动设备和固态硬盘的主流存储技术。不过，它的随机读取性能不如NOR Flash，通常不适用于存储执行代码。