当前位置:   article > 正文

【正点原子STM32连载】 第四十三章 FLASH模拟EEPROM实验 摘自【正点原子】APM32E103最小系统板使用指南

【正点原子STM32连载】 第四十三章 FLASH模拟EEPROM实验 摘自【正点原子】APM32E103最小系统板使用指南

1)实验平台:正点原子APM32E103最小系统板
2)平台购买地址:https://detail.tmall.com/item.htm?id=609294757420
3)全套实验源码+手册+视频下载地址: http://www.openedv.com/docs/boards/xiaoxitongban

第四十三章 FLASH模拟EEPROM实验

本章将介绍使用APM32E103的片上Flash模拟EEPROM,并对齐进行读写操作。通过本章的学习,读者将学习到闪存存储器控制(FMC)的使用。
本章分为如下几个小节:
43.1 硬件设计
43.2 程序设计
43.3 下载验证

43.1 硬件设计
43.1.1 例程功能

  1. 按下KEY_UP和KEY0按键,分别对Flash进行数据的写入和读取操作,读取到的数据会显示至LCD
  2. 可通过USMART对Flash进行单字数据的读取和写入操作
  3. LED0闪烁,指示程序正在运行
    43.1.2 硬件资源
  4. LED
    LED0 - PB5
  5. 按键
    KEY0 - PE4
    KEY_UP - PA0
  6. USART1(PA9、PA10连接至板载USB转串口芯片上)
  7. 正点原子 2.8/3.5/4.3/7/10寸TFTLCD模块(仅限MCU屏,16位8080并口驱动)
    43.1.3 原理图
    本章实验使用的FMC为APM32E103的片上资源,因此没有对应的连接原理图。
    43.2 程序设计
    43.2.1 Geehy标准库的FMC驱动
    APM32E103的片上Flash是可以直接读取的,但Flash无法直接写入,写入Flash前,需要先对其进行擦除操作,该操作需要有FMC来完成,其具体的操作步骤如下:
    ①:解锁访问FMC控制寄存器
    ②:擦除前禁止Flash的数据缓冲
    ③:擦除Flash的指定扇区
    ④:对Flash进行编程
    ⑤:重新使能Flash的数据缓冲
    ⑥:重新上锁访问FMC控制寄存器
    在Geehy标准库中对应的驱动函数如下:
    ①:解锁访问FMC控制寄存器
    该函数用于解锁访问FMC控制寄存器,其函数原型如下所示:
    void FMC_Unlock(void);
    该函数的形参描述,如下表所示:

形参 描述
无 无
表43.2.1.1 函数FMC_Unlock()形参描述
该函数的返回值描述,如下表所示:
返回值 描述
无 无
表43.2.1.2 函数FMC_Unlock()返回值描述
该函数的使用示例,如下所示:

#include " apm32e10x.h"
#include " apm32e10x _fmc.h"

void example_fun(void)
{
    /* 解锁访问FMC控制寄存器 */
    FMC_Unlock();
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8

②:擦除指定的FMC页面
该函数用于擦除Flash的指定扇区,其函数原型如下所示:
FMC_STATUS_T FMC_ErasePage(uint32_t pageAddr);
该函数的形参描述,如下表所示:
形参 描述
pageAddr 要擦除的页面地址例(在apm32e10x_fmc.h文件中有定义)
表43.2.1.5 函数FMC_Erase Page()形参描述
该函数的返回值描述,如下表所示:
返回值 描述
FMC_STATUS_BUSY 忙
FMC_STATUS_ERROR_PG 编程错误
FMC_STATUS_ERROR_WRP 写保护错误
FMC_STATUS_COMPLETE 操作完成
FMC_STATUS_TIMEOUT 超时错误
表43.2.1.6 函数FMC_EraseSector()返回值描述
该函数的使用示例,如下所示:

#include "apm32e10x.h"
#include "apm32e10x_fmc.h"

void example_fun(void)
{
    FMC_STATUS_T status;
    
    /* 擦除Flash的扇区11(系统电压在2.7V~3.6V之间) */
    status = FMC_ErasePage(pageaddr)if (status == FMC_COMPLETE)
    {
    		/* Do something. */
    }
    else
    {
    		/* Do something. */
    }
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18

③:字编程Flash
该函数用于对Flash进行字编程,其函数原型如下所示:
FMC_STATUS_T FMC_ProgramHalfWord(uint32_t address, uint32_t data);
该函数的形参描述,如下表所示:
形参 描述
address 指定Flash的地址
data 指定的数据
表43.2.1.7 函数FMC_ProgramHalfWord()形参描述
该函数的返回值描述,如下表所示:
返回值 描述
FMC_STATUS_BUSY 忙
FMC_STATUS_ERROR_PG 编程错误
FMC_STATUS_ERROR_WRP 写保护错误
FMC_STATUS_COMPLETE 操作完成
FMC_STATUS_TIMEOUT 超时错误
表43.2.1.8 函数FMC_ProgramHalfWord()返回值描述
该函数的使用示例,如下所示:

#include "apm32e10x.h"
#include "apm32e10x_fmc.h"

void example_fun(void)
{
    FMC_STATUS_T status;
    
    /* 编程Flash指定地址0x08000000为0x50505050 */
    status = FMC_ProgramHalfWord(0x08000000, 0x50505050)if (status == FMC_COMPLETE)
    {
    /* Do something. */
    }
    else
    {
    /* Do something. */
    }
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18

④:使能Flash数据缓冲
该函数用于使能Flash的数据缓冲,其函数原型如下所示:
void FMC_EnableDataCache(void);
该函数的形参描述,如下表所示:
形参 描述
无 无
表43.2.1.9 函数FMC_EnableDataCache()形参描述
该函数的返回值描述,如下表所示:
返回值 描述
无 无
表43.2.1.10 函数FMC_EnableDataCache()返回值描述
该函数的使用示例,如下所示:

#include "apm32e10x.h"
#include "apm32e10x_fmc.h"

void example_fun(void)
{
    /* 使能Flash的数据缓冲 */
    FMC_EnableDataCache();
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8

⑤:上锁访问FMC控制寄存器
该函数用于上锁FMC控制寄存器,其函数原型如下所示:
void FMC_Lock(void);
该函数的形参描述,如下表所示:
形参 描述
无 无
表43.2.1.11 函数FMC_Lock()形参描述
该函数的返回值描述,如下表所示:
返回值 描述
无 无
表43.2.1.12 函数FMC_Lock()返回值描述
该函数的使用示例,如下所示:

#include "apm32e10x.h"
#include "apm32e10x_fmc.h"

void example_fun(void)
{
    /* 上锁访问FMC控制寄存器 */
    FMC_Lock();
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8

43.2.2 Flash驱动
本章实验的Flash驱动主要负责向应用层提供Flash的读写操作函数。本章实验中,Flash的驱动代码包括apmflash.c和apmflash.h两个文件。
Flash驱动中,读取Flash数据的函数,如下所示:

/**
 * @brief       从指定地址读出一个半字数据
 * @param       faddr: 读取地址,必须按2字节对齐
 * @retval      读取到的一个半字数据
 */
uint16_t apmflash_read_halfword(uint32_t faddr)
{
    return *(volatile uint16_t *)faddr;
}

/**
 * @brief       从指定地址读出指定长度的数据
 * @param       raddr : 指定读出数据的起始地址
 * @param       pbuf  : 保存读出数据的起始地址
 * @param       length: 指定读出数据的长度,单位:半字
 * @retval      无
 */
void apmflash_read(uint32_t raddr, uint16_t *pbuf, uint16_t length)
{
    uint16_t i;
    
    for (i=0; i<length; i++)
    {
        pbuf[i] = apmflash_read_halfword(raddr);    /* 读出一个半字的数据 */
        raddr += 2;                                 /* 地址偏移一个半字的长度 */
    }
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27

APM32E103片上Flash的读取十分简单,仅需读取对应地址的数据即可。
Flash驱动中,往Flash写入数据的函数,如下所示:

/**
 * @brief       向指定地址写入指定长度的数据
 * @param       waddr : 指定写入数据的起始地址
 * @param       pbuf  : 保存写入数据的起始地址
 * @param       length: 指定写入数据的长度,单位:半字
 * @retval      无
 */
void apmflash_write(uint32_t waddr, uint16_t *pbuf, uint32_t length)
{
    uint32_t addrx;
    uint32_t endaddr;
    uint32_t pageaddr;
    FMC_STATUS_T status = FMC_STATUS_COMPLETE;
    /* 指定地址小于Flash的起始地址 */
if ((waddr < APM32_FLASH_BASE) ||
/* 指定地址大于Flash的末地址 */
        (waddr > (APM32_FLASH_BASE + APM32_FLASH_SIZE)) ||
/* 指定地址没有按2字节对齐 */
        ((waddr & 1) != 0))
    {
        return;
    }
    
    FMC_Unlock();
    
    addrx = waddr;                           /* 数据写入的起始地址 */
    endaddr = waddr + (length << 1);         /* 数据写入的结束地址 */
    while (addrx < endaddr)                  /* 擦除写入区域中存在非0xFFFF的扇区 */
    {   /* 存在非0xFFFF */
        if (apmflash_read_halfword(addrx) != 0xFFFF)
        {	/* 计算页地址(向下按页大小对齐) */
            pageaddr = addrx & ~(APM32_PAGE_SIZE - 1);
			/* 擦除页 */
            status = FMC_ErasePage(pageaddr);
			/* 擦除失败 */
            if (status != FMC_STATUS_COMPLETE)
            {
                break;
            }
        }
        else                                 /* 擦除成功 */
        {
            addrx += 2;
        }
    }
    
    if (status == FMC_STATUS_COMPLETE)       /* 擦除扇区没有错误 */
    {
        while (waddr < endaddr)
        {	/* 写入数据 */
            if (FMC_ProgramHalfWord(waddr, *pbuf) != FMC_STATUS_COMPLETE)
            {
                break;
            }
            
            waddr += 2;
            pbuf++;
        }
    }
    FMC_Lock();                              /* 重新上锁访问FMC控制寄存器 */
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
  • 32
  • 33
  • 34
  • 35
  • 36
  • 37
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 43
  • 44
  • 45
  • 46
  • 47
  • 48
  • 49
  • 50
  • 51
  • 52
  • 53
  • 54
  • 55
  • 56
  • 57
  • 58
  • 59
  • 60
  • 61

在写Flash前需要先判断待写入的比特位是否为1,若不为1则需要先进行擦除操作,否则将写入失败,保证待写入位置的比特位全部为0后,方可调用函数FMC_ProgramWord()对Flash进行编程。
43.2.3 实验应用代码
本章实验的应用代码,如下所示:

/* 待写入Flash的数据 */
static const uint8_t g_text_buf[] = {"APM32 FLASH TEST"};
/* 待写入Flash数据的长度 */
#define TEXT_SIZE sizeof(g_text_buf)
/* 写Flash的长度,单位:字,按2字节向上对齐 */
#define SIZE ((TEXT_SIZE >> 1) + (((TEXT_SIZE & 1) != 0) ? 1 : 0))
/* 写Flash的地址,必须大于本代码的大小+Flash的起始地址(0x08000000) */
#define FLASH_SAVE_ADDR 0x08010000

int main(void)
{
    uint8_t t = 0;
    uint8_t key;
    uint8_t data[SIZE];
    
    NVIC_ConfigPriorityGroup(NVIC_PRIORITY_GROUP_4);  /* 设置中断优先级分组为组4 */
    sys_apm32_clock_init(15);                         /* 配置系统时钟 */
    delay_init(120);                                  /* 初始化延时功能 */
    usart_init(115200);                               /* 初始化串口 */
    usmart_dev.init(120);                             /* 初始化USMART */
    led_init();                                       /* 初始化LED */
    key_init();                                       /* 初始化按键 */
    lcd_init();                                       /* 初始化LCD */
    
    lcd_show_string(30, 50, 200, 16, 16, "APM32", RED);
    lcd_show_string(30, 70, 200, 16, 16, "FLASH EEPROM TEST", RED);
    lcd_show_string(30, 90, 200, 16, 16, "ATOM@ALIENTEK", RED);
    lcd_show_string(30, 110, 200, 16, 16, "KEY_UP:Write  KEY0:Read", RED);
    
    while (1)
    {
        t++;
        key = key_scan(0);
        
        if (key == WKUP_PRES)                         /* 写Flash */
        {
            lcd_fill(0, 150, 239, 319, WHITE);
            lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Write FLASH....", RED);
            apmflash_write(FLASH_SAVE_ADDR, (uint16_t *)g_text_buf, SIZE);
            lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "FLASH Write Finished!", RED);
        }
        else if (key == KEY0_PRES)                    /* 读Flash */
        {
            lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Read FLASH.... ", RED);
            apmflash_read(FLASH_SAVE_ADDR, (uint16_t *)data, SIZE);
            lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "The Data Readed Is:  ", RED);
            lcd_show_string(30, 170, 200, 16, 16, (char *)data, BLUE);
        }
        
        if (t == 20)
        {
            LED0_TOGGLE();
            t = 0;
        }
        delay_ms(10);
    }
}
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
  • 32
  • 33
  • 34
  • 35
  • 36
  • 37
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 43
  • 44
  • 45
  • 46
  • 47
  • 48
  • 49
  • 50
  • 51
  • 52
  • 53
  • 54
  • 55
  • 56
  • 57

从本章实验的应用代码中可以看到,在完成相关的初始化工作后,便会不断地等待按键输入,若检测到KEY_UP按键被按下,则会往Flash的指定地址中写入指定的数据,若检测到KEY_0按键被按下,则会从Flash的指定地址中读取数据,并在LCD上进行显示。
43.3 下载验证
在完成编译和烧录操作后,可以看到LCD上显示了本实验相关的信息,此时便可按下KEY_UP按键往Flash的指定地址写入指定数据,然后再按下KEY_0按键从Flash的指定地址将写入的数据读回来在LCD上进行显示,此时便可以看到在LCD上显示了“APM32 FLASH TEST”的提示信息,该提示信息就是从Flash中读回的数据。

声明:本文内容由网友自发贡献,不代表【wpsshop博客】立场,版权归原作者所有,本站不承担相应法律责任。如您发现有侵权的内容,请联系我们。转载请注明出处:https://www.wpsshop.cn/w/羊村懒王/article/detail/172522
推荐阅读
相关标签
  

闽ICP备14008679号