EMX，PROC文件与电感的简单仿真_emx仿真

How To Write EMX PROC File

编写EMX工艺文件需要2方面的信息：

1. GDSII layer number and type 映射到 layer name。

这个信息可以从layermap文件中获取；EMX的manual有相应的介绍，这个过程十分基础且简单容易，简单说就是把GDSII中数字编号的layer转换成人眼认识的字符，例子中L代表layer number，T代表type；除此之外可以用GDSII中的布尔运算符来定义layer的几何关系，例如+ (union),* (intersection), ^ (exclusive-or, or symmetric difference), - (difference), and !(complement)。

与metal相关的操作常见有fill，fill表达式用来去除小于一定面积的几何形状，有些制程会填充dummy来满足density DRC的要求，如果想去除dummy金属来run EMX，可以使用fill来操作，例如define M1=fill(L39T0,3um)就会去除L39T0小于3um by 3um的形状，参数设为0为不简化。

在定义VIA的几何形状时，使用merge表达式更有效率，比如GDSII层次L48T1上的VIA 标准pitch=0.3um，可以写define contact = merge(L48T1,0.3um)。一般工艺的design rule会要求画很多VIA的阵列，而不是一个长长的大大的VIA，但是这对EMX来说不太友好，所以EMX会选择把VIA挨得比较紧的阵列拼接起来处理，上面提到的0.3um就是距离远近的判断，如果不想拼接，可以把这个值设为0。详情可以搜索EMX manual中的merge和--via-separation. 和VIA相关的操作还有count：有些工艺的VIA阻值通过ohm per via给出，那么EMX可以通过count操作来计算VIA阻值，例如:

define co=count(merge(L48T1,0.3um))

via poly m1 10ohm/via co

这不影响EMX识别VIA的几何特征，只是VIA的计算方法有所改变。

1. 衬底堆叠信息和各层之间的厚度/介电常数/电导率/磁损耗角正切。

可以从ICT (QRC), ITF (STARRC)或者TSMC的IRCX文件中获取工艺信息手动编写（TSMC也提供parser脚本完成IRCX到PROC的转换，但是作为主宰一切的设计人员，同样需要review脚本产生的文件，避免踩坑）。

下面简单介绍如果编写层次和导体的描述。

EMX的manual在开篇就提供了一个简单的proc file example以及对应的堆叠关系。Proc file从底层向顶层描述堆叠信息。Layer之间是无缝堆叠的，而metal镶嵌在layer中，因此正确描述metal在layer中的位置就很关键，会影响到EMX的建模准确性。

这个例子很好的解释了一个关键表达式：offset; offset表达式通常用来确定金属的起始位置/结束位置，或者说下平面和上平面的位置；offset的逻辑是这样的，以offset定义前的最后一个layer的下平面作为起始点，加上之前所有offset数值之和的偏移量作为当前位置，那么例子中的第一个offset 0.6就意味着poly的起始位置为5um厚度介质的起始位置500um处+0.6um，第二个offset 1就是500um处+0.6um+1um;

和offset类似有position表达式，和offset表征相对值不同，position后的数值表示相对于之前最后一个layer起始位置的绝对距离。例如：layer xxx, offset 1.3um, position 1um将当前位置设置到了layer xxx起始点上方1um的高度。

如果工艺厂提供了ICT文件，可以直接使用QRC/EXT下的ictviewer + ictfile来观察层次关系，效果如下图所示。从图中可以清晰看到M7终止于layer IMD7d的起始点，可以认为M7淀积完成后去除光刻胶再填充IMD7c研磨了一下，M7的上表面和IMD7c一样平整，蚀刻/淀积的bottom位置也许很难保证，而CMP却可以保证金属的上表面位置，因此可以用position来描述这里的M7：

layer name IMD7d  

position -M7_thickness  #注意负号，这里相对于IMD7d的起始位置回退了M7厚度

conductor M7_thickness M7_RSH M7 #再加上M7厚度，最终M7和