Vivado 软件自带的 Block Memory Generator IP 核，可以用来配置生成 RAM 或者 ROM 。 RAM 是一种随机存取存储器，不仅可以读出存储的数据，同时还支持对存储的数据进行修改，而 ROM 是一种只读存储器，也就是说，在工作时只能读出数据，而不能写入数据。需要注意的是，配置生成的 RAM 或者 ROM 使用的都是 FPGA 内部的 BRAM 资源（ Block RAM ，即块随机存储器，是 FPGA 厂商在逻辑资源之外，给 FPGA 加入的专用 RAM 块资源），只不过配置成 ROM 时只用到了嵌入式 BRAM 的读数据端口。本章我们主要介绍如何将 BMG IP 核配置成 RAM 。

2.1 单端口 RAM 的框图

各个端口的功能描述如下：

2.2 RAM IP 核配置

关于具体每一张图中的具体选项的含义可详见正点原子的《领航者ZYNQ 之 FPGA 开发指南》P542

本次实验写入32个数据所以深度为32，数据位宽为8

至此，ramIP核配置成功。生成ramIP核文件。

2.3 RAM 读写模块设计

本次实验任务是在1~31个地址中写入1~31个数，然后再在1~31个地址中读取这些数据。

读写波形图如下图所示

RAM 读写模块设计代码（代码的输入是RAMIP核的输出，代码的输出是RAMIP核的输入）


module ram_rw(
    input                clk,           //系统时钟，50MHz
    input                reset_n,       //系统复位按键，低电平有效
    input   [7 : 0]      ram_rd_data,   //ram读数据
    output  reg          ram_en,       //ram端口使能信号，高有效
    output  wire         ram_we,       //ram读写使能信号，1为写，0为读
    output  reg [4 : 0]  ram_addr,     //ram读写地址
    output  reg [7 : 0]  ram_wr_data   //ram写数据
);
 
reg [5:0] rw_cnt ; //读写控制计数器
 
always @(posedge clk or negedge reset_n) 
    if(!reset_n)
        ram_en <= 0;  
    else 
        ram_en <= 1;
 
assign ram_we = (rw_cnt <= 6'd31 && ram_en == 1'b1) ? 1'b1 : 1'b0;//组合逻辑实现会和ram_en同步
 
//时序逻辑am_we实现会使得其不在ram_en信号拉高的同时立马拉高，会晚半拍
/*always @(posedge clk or negedge reset_n) 
    if(!reset_n)
        ram_we <= 0;  
    else if(ram_en && rw_cnt <= 31)
        ram_we <= 1;
    else
        ram_we <= 0; 
 */       
 //读写控制计数器,计数器范围 0~63   
always @(posedge clk or negedge reset_n) 
    if(!reset_n)
        rw_cnt <= 0;
    else if(ram_en)begin
        if(rw_cnt >= 63 )
            rw_cnt <= 0;
        else 
            rw_cnt <= rw_cnt + 1;               
    end
    else 
        rw_cnt <= 0;
 
//读写地址信号 范围：0~31
 always @(posedge clk or negedge reset_n) begin
    if(!reset_n)
        ram_addr <= 0;
    else if(ram_addr == 5'd31 && ram_en)
        ram_addr <= 5'b0;
    else if (ram_en) 
        ram_addr <= ram_addr + 1'b1;
    else
        ram_addr <= 5'b0; 
 end
 
 //在 WE 拉高期间产生 RAM 写数据,变化范围是 0~31 
always @(posedge clk or negedge reset_n) begin
    if(!reset_n)
        ram_wr_data <= 8'b0; 
    else if(ram_wr_data < 8'd31 && ram_we)
        ram_wr_data <= ram_wr_data + 1'b1;
    else
        ram_wr_data <= 8'b0 ; 
end
   
endmodule

2.4 顶层模块设计

设计代码


module zdyz_ip_ram(
    input clk,
    input reset_n
);
 
wire ram_en;
wire ram_we;
wire [4 : 0]  ram_addr;
wire [7 : 0]  ram_wr_data ;
wire [7 : 0]  ram_rd_data;
 //例化ram 读写模块
ram_rw  ram_rw(
   . clk(clk),           //系统时钟，50MHz
   . reset_n(reset_n),       //系统复位按键，低电平有效
   . ram_rd_data(ram_rd_data),   //ram读数据
   . ram_en(ram_en),       //ram端口使能信号，高有效
   . ram_we(ram_we),       //ram读写使能信号，1为写，0为读
   . ram_addr(ram_addr),     //ram读写地址
   . ram_wr_data(ram_wr_data)   //ram写数据
);
 
blk_mem_gen_0 blk_mem_gen_0 (
  .clka(clk),    // input wire clka
  .ena(ram_en),      // input wire ena
  .wea(ram_we),      // input wire [0 : 0] wea
  .addra(ram_addr),  // input wire [4 : 0] addra
  .dina(ram_wr_data),    // input wire [7 : 0] dina
  .douta(ram_rd_data)  // output wire [7 : 0] douta
);
endmodule

2.5 仿真测试文件代码


`timescale 1ns / 1ps
module zdyz_ip_ram_tb();
 
reg clk;
reg reset_n;
 
 initial begin
    clk = 1'b0;
    reset_n = 1'b0;
    #200
    reset_n = 1'b1;
 end
//产生时钟
always #20 clk = ~clk;
zdyz_ip_ram  zdyz_ip_ram(
    .clk(clk),
    .reset_n(reset_n)
);
endmodule

2.6 仿真结果

仿真通过

三：伪双端口配置（小梅哥）

关于具体每一张图中的具体选项的含义可详见小梅哥的《基于HDL的FPGA逻辑设计与验证教程》P314

3.1 伪双端口框图

与单端口 RAM 不同的是，伪双端口 RAM 输入有两路时钟信号 CLKA/CLKB；独立的两组地址信号ADDRA/ADDRB；Port A 仅提供 DINA 写数据总线，作为数据的写入口；Port B 仅提供数据读的功能，读出的数据为 DOUTB。关于各个引脚说明可参考小梅哥或者正点原子文档教程。

3.2详细配置流程图

选择 Block Memory Generator 双击鼠标进入到 RAM IP 配置界面。

端口类型的选择，Xilinx 的很多 IP 一般都有提供两种接口，一种是常规接口，一种是 AXI 接口，这里选择选择常规接口 Native 。

这里我们选择简单双端口 RAM（Simple Dual Port RAM）

ECC 全称是 Error Correction Capability，是在简单双端口 RAM 类型下的一种纠错功能，具体该功能的详细说明，可以查看 IP 手册，这里选择 NO ECC。

写数据字节使能，如果勾选，写使能信号会根据写数据的字节数生成对应的 bit 数据，1 个字节对应 1bit 写使能，这里字节的大小可以设置为 8 或 9，当这里选择后，输入输出的数据的位宽就必须是 8 或 9 的整数倍，这里我们需要一个位宽为 8bit 的 RAM，这里勾选 Write Enable 并设置字节大小为 8bit。

这里我们保持默认的最小面积选项即可。

RAM 数据位宽和深度设置，这个根据实际应用需求进行设置，这里设置数据位宽 8bit，深度 256。

这里选择NO Change(其他选项的具体说明可参考文档教程)

端口使能信号类型设置，一个是一直使能，一个是通过一个 ENA 信号管脚控制，这里选择 Always Enable。

由于我们前面选择的是简单双端口 RAM，对于端口 A 只能进行数据的写入，没有数据的输出，所有关于端口 A 的数据输出的相关配置是不可配置的。

端口 B 数据位宽和内存深度的设置，这里设置位宽为８，深度会自动根据你选择的位宽进行设置。

端口 B 操作模式不可设置，由于在简单双端口 RAM 下端口 B 只能进行读操作，不能进行写操作，所以这里不可设置，在真双单口 RAM 下，这里是可进行设置的。端口使能就设置为 Always Enable ，让端口 B 一直使能。

端口 B 输出寄存器配置，这里可以看下 RAM 内部结构图，可以很清楚的看到 Primitives Output Register 是结构中的 1 处的寄存器， Core Output Register 是结构图中 2 出的寄存器。 REGCEB Pin 是寄存器使能管脚，如果勾选，会有一个寄存器使能控制管脚用于控制寄存器的使能，如果不勾选寄存器就一直使能状态，这里就不勾选。要得到更好的性能，将这里的两个寄存器都勾选。

端口 B 输出置位/复位设置，这里不创建置位/复位端口，需注意这里置位/复位并不复位 RAM 中的数据而是只复位寄存器上的值。

其他设置，这里不对 RAM 进行初始化，关于仿真设置就保持默认即可。

3.2 激励文件设计代码

为了测试简单双端口 RAM ，可以通过实际写入一些数据再读取部分数据的方式来验证双端口 RAM 读写是否正常。添加并新建 tb 文件命名为 ram_tb.v 。编写 tb 代码，具体 tb 代码实现的是在地址从 0~16 上写入数据为从 255 减至 240 。延时一段时间后读地址为 0~16 上的数据。


`timescale 1ns / 1ps
module xmg_ram_ip_tb();
 
reg clka   ;
reg clkb   ;
reg wea    ;
reg  [7 : 0] addra  ;
reg  [7 : 0] dina   ;
reg  [7 : 0] addrb  ;
wire [7 : 0] doutb  ;
integer i;//integer类型用于表示整数值。在FPGA设计中，integer类型通常用于计数器、延时器等电路中。作用：用于表示整数。
 
 
blk_mem_gen_0 blk_mem_gen_0 (
  .clka(clka),    // input wire clka
  .wea(wea),      // input wire [0 : 0] wea
  .addra(addra),  // input wire [7 : 0] addra
  .dina(dina),    // input wire [7 : 0] dina
  .clkb(clkb),    // input wire clkb
  .addrb(addrb),  // input wire [7 : 0] addrb
  .doutb(doutb)  // output wire [7 : 0] doutb
);
 
 
initial clka = 1;
always #10 clka = ~clka;
 
initial clkb = 1;
always #10 clkb = ~clkb;
 
initial begin
    wea=0;
    addra=0;
    dina=0;
    addrb=0; //255
    #201;
    wea = 1;
    for (i=0;i<=15;i=i+1)begin
        dina=255-i;//写入数据
        addra = i;//选择地址
        #20;
    end
    wea=0;
    #1;
    for (i=0;i<=15;i=i+1)begin
        addrb=i;//读取相应地址的数据
        #40;
    end
    #200;
    $stop;
end   
endmodule

3.3 仿真结果

至此伪双端口RAM配置以及设计仿真完毕。

四：伪双端口配置（正点原子）

由于伪双端口配置较为常用，所以再次再次重复编写一下伪双端口实例。

详细配置方案可参考正点原子文档教程《 领航者ZYNQ 之 FPGA 开发指南》P564。

本节任务是在0~63个地址依次写入0~63个数，然后在写到一半数据（32个数据）时就开始从地址0~63依次读数据

4.1 RAM 写模块设计

模块框图：

模块代码


module zdyz_ram_wr(
    input               clk , //时钟信号
    input               reset_n , //复位信号，低电平有效
    //RAM 写端口操作
    output              ram_wr_we , //ram 写使能
    output reg          ram_wr_en , //端口使能
    output reg [5:0]    ram_wr_addr , //ram 写地址
    output [7:0]        ram_wr_data ,//ram 写数据
    output reg          rd_flag  //读启动信号
    );
        
//ram_wr_we 为高电平表示写数据
 assign ram_wr_we  = ram_wr_en;
 //写数据与写地址相同，因位宽不等，所以高位补 0
 assign ram_wr_data = {2'b0,ram_wr_addr};
    
 //控制 RAM 使能信号   
 always @(posedge clk or negedge reset_n)    
    if(!reset_n)  
        ram_wr_en <= 1'b0;
    else
        ram_wr_en <= 1'b1;
        
//写地址信号 范围:0~63      
always @(posedge clk or negedge reset_n)    
    if(!reset_n)          
        ram_wr_addr <= 0;   
    else if(ram_wr_en && ram_wr_addr < 63)
        ram_wr_addr <= ram_wr_addr + 1;    
    else
        ram_wr_addr <= 0;
        
 //当写入 32 个数据（0~31）后，拉高读启动信号       
always @(posedge clk or negedge reset_n)    
    if(!reset_n)     
        rd_flag <= 0;
    else if(ram_wr_addr == 31)
        rd_flag <= 1;
    else
        rd_flag  <= rd_flag;
        
endmodule

4.2 RAM 读模块设计

模块框图：

模块代码


module zdyz_ram_rd(
    input               clk ,        //时钟信号
    input               reset_n ,    //复位信号，低电平有效
    //RAM 读端口操作
    input               rd_flag ,    //读启动标志
    input [7:0]         ram_rd_data ,//ram 读数据
    output wire         ram_rd_en , //端口使能
    output reg [5:0]    ram_rd_addr //ram 读地址 
    );
    
assign ram_rd_en =  rd_flag;
 
//读地址信号 范围:0~63
always @(posedge clk or negedge reset_n)    
    if(!reset_n)          
        ram_rd_addr <= 0;   
    else if(rd_flag && ram_rd_addr < 63)
        ram_rd_addr <= ram_rd_addr + 1;    
    else
        ram_rd_addr <= 0;
   
endmodule

4.3 顶层文件设计

代码设计


module zdyz_ip_2port_ram(
     input clk , //系统时钟
     input reset_n //系统复位，低电平有效
    );
 wire       ram_wr_we;  
 wire       ram_wr_en;
 wire  [5:0]ram_wr_addr;  //ram 写地址
 wire  [7:0]ram_wr_data; //ram 写数据
 wire  [5:0]ram_rd_addr; //ram 读地址
 wire  [7:0]ram_rd_data; //ram 读数据
 wire       rd_flag; //读启动标志
 wire       ram_rd_en;
 
 //RAM 写模块例化   
zdyz_ram_wr  zdyz_ram_wr(         
    .clk             (clk)          ,    //时钟信号
    .reset_n         (reset_n)      ,    //复位信号，低电平有效
    .ram_wr_we       (ram_wr_we)    ,    //ram 写使能
    .ram_wr_en       (ram_wr_en)    ,    //端口使能
    .ram_wr_addr     (ram_wr_addr)  ,    //ram 写地址
    .ram_wr_data     (ram_wr_data)  ,    //ram 写数据
    .rd_flag         (rd_flag)           //读启动信号
);
 
//RAM 读模块例化
zdyz_ram_rd  zdyz_ram_rd(
    .clk           (clk)         ,//时钟信号
    .reset_n       (reset_n)     ,//复位信号，低电平有效
    .rd_flag       (rd_flag)     ,//读启动标志
    .ram_rd_data   (ram_rd_data) ,//ram 读数据
    .ram_rd_en     (ram_rd_en)   ,//端口使能
    .ram_rd_addr   (ram_rd_addr)  //ram 读地址 
); 
    
 //RAM IP核例化
 zdyz_blk_mem_gen_2 your_instance_name (
  .clka(clk),    // input wire clka
  .ena(ram_wr_en),      // input wire ena
  .wea(ram_wr_we),      // input wire [0 : 0] wea
  .addra(ram_wr_addr),  // input wire [5 : 0] addra
  .dina(ram_wr_data),    // input wire [7 : 0] dina
  .clkb(clk),    // input wire clkb
  .enb(ram_rd_en),      // input wire enb
  .addrb(ram_rd_addr),  // input wire [5 : 0] addrb
  .doutb(ram_rd_data)  // output wire [7 : 0] doutb
);
   
endmodule

4.4 仿真文件


`timescale 1ns / 1ps
module zdyz_ip_2port_ram_tb();
 
//parameter define
parameter CLK_PERIOD = 20; //时钟周期 20ns
 
//reg define
 reg clk;
 reg reset_n;
 
 //信号初始化
 initial begin
 clk = 1'b0;
 reset_n = 1'b0;
 #200
 reset_n = 1'b1;
 end
 //产生时钟
 always #(CLK_PERIOD/2) clk = ~clk;
 zdyz_ip_2port_ram zdyz_ip_2port_ram(
     .clk (clk ),
     .reset_n(reset_n)
);
endmodule

4.5 仿真结果

至此RAM IP核配置以及仿真验证已经结束。

声明：本文内容由网友自发贡献，不代表【wpsshop博客】立场，版权归原作者所有，本站不承担相应法律责任。如您发现有侵权的内容，请联系我们。转载请注明出处：https://www.wpsshop.cn/w/菜鸟追梦旅行/article/detail/464985

小梅哥Xilinx FPGA学习笔记21——IP核之RAM实验_fpga ram ip核

一: RAM 简介

1.1 存储器的分类

二： 单端口ram配置