基于stm32f103ze hal库的内部flash磨损均衡算法的实现与测试_stm32内部flash使用磨损均衡算法

stm32f103ze是大容量的芯片，每个page2k字节，每次至少写2字节，即2*n字节数量，通常情况下，写入数据都是1->0,而不能0->1，因为这个是flash的特性决定的，如果是0->1的操作，那么必须要整个page擦除，这个和eeprom是不一样的， eeprom是可以按字节进行读写的，当然容量没有flash大，因此各有利弊。

通常，stm32flash可以来保存一些数据，可行方案有在固定的地址中，写入数据，每次写入数据，都要将原有的数据保存到sram中，然后加上新的数据，执行擦除操作后，一并写入数据，这样基本上每次写入数据都有擦除一遍。比较费flash，通常擦除1万次或者10万次吧。简单的需求是应该足够了，原子的flash算法就是这样的，但是有bug，需要改一下的。

网上我看到一个好理解的算法，链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/81108712，就是开辟一个page作为一个数据(一个模块的数据，不一定是一个字节)的保存空间，每次保存数据的时候， 就是将前面的空间清零，前面说过flash可以1->0操作的，后面的空间如果还有，那就就写入写的数据，如果本page的2kb都已经作品过一遍了，那么就直接擦除这个page，从头开始写入数据。这样可以降低擦除的次数， 延长flash的寿命，这个就是典型的空间换时间的算法，利用2kb来保存单个模块的数据，如果数据量很大，其实擦除的次数也就提高了。

具体的代码，链接上都有的，可以自己体验一把，就是读的函数没有实现，也是挺简单的。