当前位置: article > 正文

flash基础知识_flash擦除最小单位

作者：AllinToyou | 2024-04-15 17:50:29

踩

flash擦除最小单位

一、flash概念

flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1。擦除数据是将所有数据都写为1。因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。

每块	每扇区	每页
16扇区	16页	256 Byte（2048 bit）

型号	W25Q80	W25Q16	W25Q32
块	16	32	64
扇区	256	512	1024
页	4096	8192	16384
字节数	1M Byte（8M bit）	2M Byte（16M bit）	4M Byte（32M bit）

1.最小擦除单位：扇区
2.可选择擦除单位：扇区、块、全片
3.最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
4.Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，W25Q128的一页是 256 字节。写入数据一旦跨页，必须在写满上一页的时候，等待 Flash 将数据从缓存搬移到非易失区，重新再次往里写。
5.最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
6.未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
7.只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。

在这里插入图片描述

1. SRAM：静态随机存储器，存取速度快，但容量小，掉电后数据会丢失
1. FLASH：闪存，存取速度慢，容量大，掉电后数据不会丢失
1. DRAM：动态随机存储器，必须不断的重新的加强(REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格比 SRAM 便宜，但访问速度较慢，耗电量较大，常用作计算机的内存使用。
1. SSRAM：即同步静态随机存取存储器。对于 SSRAM 的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
1. SDRAM：即同步动态随机存取存储器。

基于intel Cyclone IV E系列 EP4CE115F29C7开发板

Name	全称	详解	芯⽚编号	特性	容量
ROM	Read Only Memory	只读存储器只能读出事先写⼊的数据	—-	掉电不丢失
RAM	Random Access Memory	随机存取存储器，可按需随机写⼊或读出数据，断电丢失，主要⽤于短时间存储数据。⼜可分为静态存储器和动态存储器	—	掉电丢失
SRAM	Static Random-Access Memory	静态随机存取存储器，由晶体管存储数据，⽆需刷新，读写速度快	—-	掉电丢失
DRAM	Dynamic Random-Access Memory	动态随机存取存储器，由电容存储数据，由于电容漏电`需要动态刷新`，电容充放电导致读写速度较SRAM低。但DRAM成本较低，适合做⼤容量⽚外缓存。	—-	掉电丢失
EEPROM	Electrically Erasable Programmable Read Only Memory	带电可擦除可编程只读存储器，断电后仍能保存信息，通常⽤于保存设置信息。块擦除。	24LC04B	`掉电不丢失`	2 * 256 * 8bits=2 * 2Kbits=`4Kbits`
Flash		⾮易失性存储器，断电情况下仍能存储数据。扇区擦除SE	M25P16	`掉电不丢失`	32 * 256 * 256 * 8bits=32 * 512Kbits=`16Mbits`
SDRAM	Synchronous Dynamic Random-Access Memory	同步动态随机存取存储器，可以指定地址进⾏读写，存储阵列`需要不断刷新`	HY57V561620FTP	掉电丢失	4 * $2^9$ * $2^{13}$ * 16bits=4 * 64Mbits=`256Mbits`

声明：本文内容由网友自发贡献，不代表【wpsshop博客】立场，版权归原作者所有，本站不承担相应法律责任。如您发现有侵权的内容，请联系我们。转载请注明出处：https://www.wpsshop.cn/w/AllinToyou/article/detail/429207