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RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介_一款设备中ram和rom和flash同时存在吗

一款设备中ram和rom和flash同时存在吗

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参考博客:

Flash、RAM、ROM的区别_天籁东东的博客-CSDN博客_flash和rom的区别

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介 - 存储技术 - 电子发烧友网

RAM、NANDFlash、NORFlash的区别详解 - 百度文库

https://www.cnblogs.com/y4247464/p/12324646.html(推荐)

 

RAM

RAM英文名random access memory,随机存储器。之所以叫随机存储器,是因为当对RAM进行数据读取或写入的时候,花费的时间和这段信息所在的位置或写入的位置无关。

特点:速度最快,掉电丢失数据,容量小,价格贵。

RAM分为两大类:SRAM和DRAM。

具体包括SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM和DDR3 SDRAM。

SRAM是静态(S指的static)RAM,静态指的不需要刷新电路,数据不会丢失,SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了。

DRAM是动态RAM,动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据,才能保存数据,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快。

SDRAM是同步(S指的是synchronous)DRAM,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。

DDR、DDR2、DDR3都属于SDRAM,DDR是Double DateRate的意思,三种指的是同一系列的三代,速度更快,容量更大,功耗更小,现在出了DDR4,也是同一系列。

ROM

ROM英文名Read-Only Memory,只读存储器,里面数据在正常应用的时候只能读不能写,存储速度不如RAM。(但按照EEPROM的描述,还是可以修改的。因此这句话应该改为“不能随意写”。)

特点:掉电不丢失数据,容量大,价格便宜。

ROM分类三类:PROM、EPROM和EEPROM。

PROM:(P指的programmable)可编程ROM,根据用户需求,来写入内容,但是只能写一次,就不能再改变了。

EPROM:PROM的升级版,可以多次编程更改,只能使用紫外线擦除。

EEPROM:升级版,可以多次编程更改,使用电擦除。

FLASH

FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(这是EEPROM的优点)的性能,还不会断电丢失数据(这是EEPROM的优点),同时可以快速读取数据(这是RAM的优点)。

特点:掉电不丢失数据,容量大,价格便宜。

FLASH存储器分为NAND FLASH和NOR FLASH。

NOR FLASH读取速度比NAND FLASH快,价格比NAND FLASH高。应用程序可以直接在NOR FLSAH内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

NAND FLASH读取速度比NOR FLASH慢,价格比NOR FLASH低,存储颗粒密度比NOR FLASH大,可以作为大数据的存储,但应用程序不能直接在NAND FLASH内运行。

FLASH存储器属于块设备。具有块(Block)、页(扇区)这两种概念。

网络资源总结

我的理解。

1、在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用。

2、FLASH属于广义上的ROM,和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区(或者叫做“页”)进行操作,以块为单位进行擦除,而EEPROM以字节为单位进行操作、进行擦除。这简化了电路,使得数据密度更高,降低了成本。目前上M的ROM一般都是FLASH。

3、NADN FLASH和NOR FLASH的关系与区别如上。至于NAND FLASH和iNand的关系,可以这样理解,iNand、SD卡、MMC卡等等,都是以NAND FLASH为原料,遵循一些协议,添加封装以及接口而制作出来的产品,因此使用起来就带有NAND FLASH的特性,隶属NAND FLASH类别。那有没有利用NOR FLASH制造出来的常用的产品呢?因为容量小,好像日常生活中没有看到,它一般用于开发板作为启动介质,因为代码程序可以直接在NOR FLASH运行。

4、FLASH存储器属于块设备。具有块(Block)、页(扇区)这两种概念。

5、传统的机械硬盘(HHD)是以磁学原理存储数据的设备。现在的固态硬盘(SSD)好像有基于NAND FLASH的,也有基于DRAM的。

6、U盘也是FLASH类型的存储器,应该也是基于NAND FLASH。

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