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在电机控制器的设计过程中,对功率器件MOSFET的漏极电流 I D I_D ID 进行校核计算是一项重要工作。这里把我自己的一些推导过程做简单叙述,主要针对某型车用电机所匹配的电机控制器,功率器件为N-MOS,交流端输出波形为正弦波,并且假设调制比 m = 1 m=1 m=1 。下文里面出现的变量均如题图所示。
本文如有错误和叙述不清之处,恳请读者批评指正。
对于特定的某相而言,例如U相,其交流输出的电流的有效值 I L I_L IL 实际上由与之串联的MOS提供,所以数值上等于从对应的MOS的漏极D输入、源极S输出的漏极电流 I D I_D ID,有:
I L = I D I_L=I_D IL=ID
I D I_D ID,漏极电流(有效值);
由于三相是对称的,所以V、W相的表达式也是如此。这里为了行文简洁,不标注表示U相的角标。下文如果没有专门说明,也是针对U相做分析。
交流端由于是三相,所以应考虑区分相电压和线电压。其中,U点相对V点的交流线电压 U L U_L UL 的峰值等于直流母线电压 U D C U_{DC} UDC,对于SVPWM方式,线电压 U L U_L UL 的有效值为直流母线电压 U D C U_{DC} UDC 的 1 / 2 1/\sqrt{2} 1/2 ,即:
U L = 1 2 ⋅ U D C U_L=\frac{1}{\sqrt{2}}\cdot U_{DC} UL=2 1⋅UDC
U D C U_{DC} UDC,直流母线电压;
电机采用星形接法,电机的A相绕组和电机控制器的U相串联,所以电机A相的相电流 I p I_p Ip 与电机控制器U相的线电流 I L I_L IL 相等:
I p = I L I_p=I_L Ip=IL
I L I_L IL,输出端线电流;
电机采用星形接法,电机A相的相电压等于电机控制器线电压的 1 / 3 1/\sqrt{3} 1/3 ,即:
U p = 1 3 ⋅ U L U_p=\frac{1}{\sqrt{3}}\cdot U_L Up=3 1⋅UL
U L U_L UL,输出端线电压;
考虑电机A相绕组,其有功功率等于加在它身上的相电压 U p U_p Up、通过它的相电流 I p I_p Ip、当前功率因数 c o s φ cos\varphi cosφ 三者的乘积,再考虑共有三个一样的绕组,所以整个电机的有功功率 P P P 为:
P = 3 ⋅ c o s φ ⋅ U p ⋅ I p P=3\cdot cos\varphi\cdot U_{p}\cdot I_p P=3⋅cosφ⋅Up⋅Ip
代入上文得到的相电压 U p U_p Up 和相电流 I p I_p Ip 的表达式,得到有功功率 P P P 关于电机控制器线电压 U L U_L UL 和线电流 I L I_L IL 的表达式:
P = 3 ⋅ c o s φ ⋅ U L ⋅ I L P=\sqrt{3}\cdot cos\varphi\cdot U_{L}\cdot I_L P=3 ⋅cosφ⋅UL⋅IL
再代入线电压 U L U_L UL 和线电流 I L I_L IL 的表达式,得到有功功率 P P P 关于直流母线电压 U D C U_{DC} UDC 和漏极电流 I D I_D ID 的表达式:
P = 3 2 ⋅ c o s φ ⋅ U D C ⋅ I D P=\frac{\sqrt{3}}{\sqrt{2}}\cdot cos\varphi\cdot U_{DC}\cdot I_D P=2 3 ⋅cosφ⋅UDC⋅ID
以上各式中,
c
o
s
φ
cos\varphi
cosφ,功率因数;
U
p
U_p
Up,电机端相电压;
I
p
I_p
Ip,电机端相电流;
U
L
U_L
UL,交流输出端线电压;
I
L
I_L
IL,交流输出端线电流;
U
D
C
U_{DC}
UDC,直流母线电压;
I
D
I_D
ID,漏极电流;
由有功功率 P P P 的表达式可以反求漏极电流 I D I_D ID:
I D = 2 3 ⋅ c o s φ ⋅ P U D C I_D=\frac{\sqrt{2}}{\sqrt{3}\cdot cos\varphi}\cdot \frac{P}{U_{DC}} ID=3 ⋅cosφ2 ⋅UDCP
P
P
P,有功功率;
c
o
s
φ
cos\varphi
cosφ,功率因数;
U
D
C
U_{DC}
UDC,直流母线电压;
I
D
C
I_{DC}
IDC,直流母线电流;
需要注意的是,这里漏极电流 I D I_D ID 是单个半桥臂,本例中也就是题图中所示的单个MOS提供的漏极电流。但如果半桥臂是由N个MOS并联的,则 I D I_D ID 应为N个MOS的漏极电流之和。
I D I_D ID 为漏极电流的有效值,由于输出波形是正弦波,所以漏极电流的峰值为漏极电流有效值的 2 \sqrt{2} 2 倍,即:
I D m = 2 ⋅ I D I_{Dm}=\sqrt{2}⋅I_D IDm=2 ⋅ID
假设桥臂使用N个MOS并联。那么可以使用规格书中提供的连续漏极电流的许用值校核 I D / N I_D/N ID/N 和 I D m / N I_{Dm}/N IDm/N,并使用脉冲漏极电流许用值校核 I D m I_{Dm} IDm。
注意这里是用N个MOS的总漏极电流峰值 I D m I_{Dm} IDm 和单个MOS的脉冲漏极电流许用值做比较。这是考虑到各MOS存在差异,导通时间并不相同,所必然会存在只有一个MOS导通的时刻。此时,这个提前导通的MOS承担了本应由N个MOS共同承担的所有电流,也就是 I D m I_{Dm} IDm。
当然了,校核并不是简单的小于许用值就算合格,还需要考虑足够的安全系数。这个安全系数受到不同的原料、工艺、场景和客户(大雾)等因素的影响会有不同的取值,这里就不展开说了。
(全文完)
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(好吧,其实是说不明白……)
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