Flash的读写特点_flash可以跨页吗

作者：繁依Fanyi0 | 2024-04-15 18:03:33

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flash可以跨页吗

1. FLASH的块/扇区/页关系

每块	每扇区	每页
16扇区	16页	256 Byte（2048 bit）

型号	W25Q80	W25Q16	W25Q32
块	16	32	64
扇区	256	512	1024
页	4096	8192	16384
字节数	1M Byte（8M bit）	2M Byte（16M bit）	4M Byte（32M bit）

最小擦除单位：扇区
可选择擦除单位：扇区、块、全片
最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，W25Q128的一页是 256 字节。写入数据一旦跨页，必须在写满上一页的时候，等待 Flash 将数据从缓存搬移到非易失区，重新再次往里写。
最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。

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如图的 8-pin 是较常用的一种封装. 各 pin 的意义:

CS：chip select, 芯片使能引脚. CS拉高时, 芯片处理省电模式, 各数据引脚(D0/D1/D2/D3)处理高阻态；CS拉低时芯片工作, 数据引脚可以传输数据。
DO：(在CLK下降沿)输出数据或状态. 正常情况下只有DI/DO作为IO引脚, 启用 Quad 模式需要置QE(Quad Enable)位. QE=1时, WP和HOLD分别变为IO2,IO3.
WP：低电平有效, 保护状态寄存器不被写入。
GND：接地
DI：(在CLK上升沿)向 Flash 输入指令, 地址或数据.
CLK：提供输入输出操作的同步时钟.
HOLD：当多个芯片共用 SPI 总线时非常有用. HOLD 为低电平时, DO 引脚变为高阻态, 且此时 DI/CLK 上的信号被忽略. 相当于芯片此时不工作. 假设对一个 SPI FLASH 的页写操作只进行到一半, 此时一个中断来了, 另一个更高优先级的任务要占用 SPI 总线, 此时就可以使用 HOLD 拉低来暂停 SPI FLASH 内部的工作, 等到任务切换回来再让操作继续下去.
VCC：2.7 ~ 3.6V

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