vivado ddr3学习_vio ddr3

借用之前在CSDN看到的一位仁兄分享的博客内容，再来详细分析和解释一下在学习DDR3过程中的理解与体会。仁兄文章的链接不知道是啥了，在这里说声不好意思哈！

一、mig_7series_0 IP核例化模块接口代码如下：

 mig_7series_0 u_mig_7series_0 (
 
    // Memory interface ports
    .ddr3_addr                      (ddr3_addr),     // output [14:0]	
    .ddr3_ba                        (ddr3_ba),       // output [2:0]		
    .ddr3_cas_n                     (ddr3_cas_n),    // output			
    .ddr3_ck_n                      (ddr3_ck_n),     // output [0:0]		
    .ddr3_ck_p                      (ddr3_ck_p),     // output [0:0]		
    .ddr3_cke                       (ddr3_cke),      // output [0:0]		
    .ddr3_ras_n                     (ddr3_ras_n),    // output			
    .ddr3_reset_n                   (ddr3_reset_n),  // output			
    .ddr3_we_n                      (ddr3_we_n),     // output			
    .ddr3_dq                        (ddr3_dq),       // inout [63:0]		
    .ddr3_dqs_n                     (ddr3_dqs_n),    // inout [7:0]		
    .ddr3_dqs_p                     (ddr3_dqs_p),    // inout [7:0]		
    .init_calib_complete            (init_calib_complete),  // output			
      
	.ddr3_cs_n                      (ddr3_cs_n),  // output [0:0]		
    .ddr3_dm                        (ddr3_dm),    // output [7:0]		
    .ddr3_odt                       (ddr3_odt),   // output [0:0]		
    // Application interface ports
    .app_addr                       (app_addr),  // input [28:0]		
    .app_cmd                        (app_cmd),   // input [2:0]		
    .app_en                         (app_en),    // input				
    .app_wdf_data                   (app_wdf_data),  // input [511:0]		
    .app_wdf_end                    (app_wdf_end),   // input				
    .app_wdf_wren                   (app_wdf_wren),  // input				
    .app_rd_data                    (app_rd_data),   // output [511:0]		
    .app_rd_data_end                (app_rd_data_end),    // output			
    .app_rd_data_valid              (app_rd_data_valid),  // output			
    .app_rdy                        (app_rdy),        // output			
    .app_wdf_rdy                    (app_wdf_rdy),    // output			
    .app_sr_req                     (app_sr_req),     // input			
    .app_ref_req                    (app_ref_req),    // input			
    .app_zq_req                     (app_zq_req),     // input			
    .app_sr_active                  (app_sr_active),  // output			
    .app_ref_ack                    (app_ref_ack),    // output			
    .app_zq_ack                     (app_zq_ack),     // output			
    .ui_clk                         (ui_clk),         // output			
    .ui_clk_sync_rst                (ui_clk_sync_rst),  // output			 
    .app_wdf_mask                   (app_wdf_mask),   // input [63:0]		
    // System Clock Ports
    .sys_clk_i                       (sys_clk_i),
    .sys_rst                        (sys_rst)         // input 
    );

这段代码就是举个例子，例化的接口代码用于下面讲解时的参考对照，按照需求设计的IP核不同，接口引脚也不太一样，但是相差不大。

二、例化IP核

1. 打开IP Catalog然后搜索mig，如下图所示：

2. 如下图所示，首先是确认工程的信息，主要是芯片信息和编译环境的信息，如果没什么问题，直接点击“Next”。

3. 如下图所示，选择“Create Design”，在“Component Name”一栏设置该 IP 元件的名称，这里取默认软件的名称，再往下选择控制器数量，默认为“1”即可。最后关于 AXI4 接口，因为本工程不去使用AXI4 接口，所以不勾选。配置完成点击“Next”。


4. 如下图所示，该页主要是选择可以兼容的芯片，本工程默认不勾选，即不需要兼容其他的 FPGA芯片。配置完成点击“Next”。

5. 如下图所示，因为我们要用 DDR3 芯片，所以选择第一个选项“DDR3 SDRAM”，配置完成后点击“Next”。

6. 如下图所示，从这页开始，就开始正式配置MIG IP 核的各个参数了。

1. Clock Period：DDR3 物理芯片使用的运行时钟，ddr芯片会以这个时钟采数据。这个参数的范围和 FPGA 的芯片类型以及具体类型的速度等级有关。我这里选择2500ps，对应 400M。注意这个时钟是 MIG IP 核产生，并输出给 DDR3物理芯片使用的（时钟管脚ddr3_ck_n，ddr3_ck_p），该时钟与DDR3 芯片具体的运行带宽相关。若DDR3 芯片的数据位宽总共为16位，则由于DDR3双沿数据采样，运行带宽可达到12.8Gb/s(800M*16bit)。
2. PHY to Controller Clock Ratio： DDR3 物理芯片运行时钟和 MIG IP核产生的用户端时钟（ui_clk）之比， 可以理解为（ddr3的工作时钟频率：用户时钟频率） = （4：1），一般有 4:1 和 2:1 两个选项。由于 DDR 芯片的运行时钟是400Mhz，因此 MIG IP 核的用户时钟（ui_clk）就是 100Mhz。一般来说高速传输的场合选择4:1，要求低延时的场合选择 2:1。另外，选择2：1的话，（app_wdf_data、app_rd_data）数据总线位宽是UI界面你选择的（Data Width）物理接口的4倍，Data Width是64的话，app_wdf_data、app_rd_data位宽为256bit， 选择4：1的话，（app_wdf_data、app_rd_data）数据总线位宽是UI界面你选择的（Data Width） 物理接口的8倍，Data Width是64的话，app_wdf_data、app_rd_data位宽为512bit。
3. VCCAUX_IO： FPGA 高性能 bank（High Performance bank）的供电电压。它的设置取决于 MIG控制器运行的周期/频率。当用户让控制器工作在最快频率的时候，系统会默认为 1.8V。
4. Memory Type： DDR3 储存器类型选择。默认选择 Component。
5. Memory Part： DDR3 芯片的具体型号。本次选择 MT41J128M16XX-125，这个型号其实和实际硬件原理图上的型号可以不同的，只要用户的 DDR3 芯片容量和位宽一致即可。以上为例代表这一片ddr的位宽为16，总容量为128Mb x 16bit =256MB。                                        点击Create Custom Part，会显示DDR3 芯片的Row Address、Column Address、Bank Address（也就是行列地址、块地址）的位宽，这会决定（app_addr）的位宽，app_addr[ADDR_WIDTH – 1:0]，ADDR_WIDTH =RANK_WIDTH +BANK_WIDTH + ROW_WIDTH + COL_WIDTH。RANK_WIDTH固定为1.
6. Memory Voltage：DDR3 芯片的电压选择，由芯片决定，芯片手册上有。
7. Data Width： 数据位宽选择，这里选择 16。
8. ECC: ECC 校验使能，数据位宽为 72 位的时候才能使用。
9. Data Mask： 数据屏蔽管脚使能。勾选它才会产生屏蔽信号。
10. Number of Bank Machines： Bank Machine 的数量是用来对具体的每个或某几个来单独控制的，选择多了控制效率就会高，相应的占用的资源也多。若DDR3 芯片是八个 bank，这里选择 4 个，则平均一个 Bank Machine 控制两个BANK。
11. ORDERING： 该信号用来决定 MIG 控制器是否可以对它收到的指令进行重新排序，选择 Normal 则允许，Strict 则禁止。本实验选择 Normal，从而获得更高效率。

7.上面的配置好之后，点击“NEXT”按钮，进入如下界面：

1. Input Clock Period： MIG IP 核的系统输入时钟周期，该输入时钟是由 FPGA 内部产生的，即MIG IP 核的工作时钟。
2. Read Burst Type and Length： 突发类型选择，突发类型有顺序突发和交叉突发两种，本次选择顺序突发（Sequential），其突发长度固定为 8。
3. Output Driver Impdance Control： 输出阻抗控制。本次选择 RZQ/7。
4. RTT： 终结电阻，可进行动态控制。本次选择 RZQ/4。
5. Controller Chip Select Pin： 片选管脚引出使能。本实验选择 enable，表示把片选信号cs#引出来，由外部控制。
6. BANK_ROW_COLUMN： 寻址方式选择。本实验选择第二种，即 BANK-ROW-COLUMN 的形式，这是一种最常规的 DDR3寻址方式，即要指定某个地址，先指定 bank，再指定行，最后指定列，这样就确定了一个具体地址。一般来说这样寻址方式有利于降低功耗，但是读写性能（效率）上不如“ROW_BANK_COLUMN”。

8.上面的配置好之后，点击“NEXT”按钮，进入如下界面：

1. System Clock： MIG IP核的输入时钟。用于创建所有MIG设计时钟，用于时钟内部逻辑，相位器的频率参考时钟，以及在多i /O BANK实现中保持PHY控制块同步所需的同步脉冲（看上图）。本次选择“No Buffer”, 是因为IP核的输入系统时钟是单端时钟，是由内部的MMCM产生的，MMCM所产生的时钟默认添加了buffer。当选择No Buffer选项时，IBUF原语不会在RTL代码中实例化，引脚也不会为System Clock分配。但是（sys_clk_i）信号需要连接到内部时钟，也就是上面说的由内部的MMCM产生的时钟，否则设计会失败。
2. Reference Clock： MIG IP 核参考时钟。参考时钟驱动设计中的IODELAYCTRL组件，提供200M的参考时钟（看上图）。同样选择“No Buffer”，将由时钟模块生成。当选择No Buffer选项时，IBUF原语不会在RTL代码中实例化，引脚也不会为Reference Clock分配。但是（ref_clk_i）信号需要连接到内部时钟，也就是上面说的由内部的MMCM产生的时钟，否则设计会失败。在Input Clock Period选项中如果选择200M，会出现Use System Clock选项，Reference Clock使用System Clock的时钟，（ref_clk_i）引脚不会出现。
3. System Reset Polarity： 复位有效电平选择。本次选择“ACTIVE LOW”低电平有效。
4. Debug Signals Control: 该选项用于控制 MIG IP 核是否把一些调试信号引出来，它会自动添加到 ILA，这些信号包括一些 DDR3 芯片的校准状态信息。本实验选择选择“OFF”，不需要让 IP 核生产各种调试信号。
5. Sample Data Depth： 采样深度选择。当“Debug Signals Control”选择“OFF”时，所有采样深度是不可选的。
6. Internal Vref： 内部参考管脚，表示将某些参考管脚当成普通的输入管脚来用。若 IO资源较为紧张，可以选择“ON”，把参考管脚当做普通的输入管脚来用。
7. IO Power Reduction： IO 管脚节省功耗设置。本次选择“ON”，即开启。
8. XADC Instantiation： XADC 模块例化。使用 MIG IP 核运行的时候需要进行温度补偿，可以直接选择XADC模块的温度数据引到 MIG IP 核来使用，否则需要额外提供温度数据，所以本实验选择“Enable”。温度监视器通过补偿温度漂移有助于在数据有效窗口保持DQS中心对齐。

9.继续点击“NEXT”按钮，界面如下图所示。

10.以上是高性能 bank 端接匹配阻抗的设置，这里不去改它，默认 50 欧姆即可。接下来点击“NEXT”按钮，界面如下图所示。

这里第一个选项是系统分配它认为的最合适的管脚（如果只是仿真，可以选择这个），第二个选项是由用户自己分配管脚。我这里只看仿真，固选择了第一个。

11.接下来一直点击next即可。

12.点击next即可。


13.点击next即可。

14.先点击accept，再点击next即可。

15.点击next即可。


16.点击generate即可。


17.点击generate生成MIG IP核。


18.等待综合完成后，如下图所示，右键选择Open IP Example Design，即可打开Xilinx官方提供的MIG IP核读写例程。

19.紧接着选择MIG IP核读写例程的存放路径 ，点击OK。

20.下图即为Xilinx官方提供的MIG IP核读写例程 ，点击Run Simulation进行仿真。（仿真就不看了，并不能清晰的反应DDR3的读写时序。）


三、DDR3读写时序

1.命令时序

        只有在app接口上的app_rdy端口输出为高时，才能操作命令。当app_rdy为高，app_en拉高后，命令会写入命令FIFO中。读写指令如下：

有些兄弟可能不太明白命令FIFO是怎么回事，看下面这个PHY interface 的图就明白了，在用户和DDR3 SDRAM之间的PHY就是这样的结构。

2. 写时序

        之前我们说过，PHY to Controller Clock Ratio 这个参数分4：1和2：1两个mode，两者的写时序不同。

（1）4：1mode写时序，如下图：

        有三种写模式，要注意的是第三种方式：数据最晚在命令有效后的两个时钟周期写入。

        连续写入就如下图所示：

数据手册上还列举的数据在DRAM接口的采样示例（手册上的图片也不清楚，看文字说明吧）：在应用程序界面，如果64位数据驱动为0000_0806_0000_0805 (Hex)，则DRAM界面的数据如图1-75所示。这是针对突发长度8 (BL8)事务。

        DDR模式，上下沿采样，共用了四个时钟：

 （2）2：1mode写数据（与4：1模式对比）

        对于2:1模式，应用程序数据宽度为32位。因此，对于BL8事务，应用程序接口上的数据必须在两个时钟周期内提供。第二个数据拉高app_wdf_end信号，如中所示图1 - 76。在本例中，第一个周期提供的应用程序数据是0000_0405(十六进制)，，而最后一个周期提供的数据是0000_080A (Hex)。这是针对BL8事务的。如下图：app_wdf_end信号必须用于指示内存写入突发事件的结束。对于2:1模式下的8个内存突发类型，app_wdf_end信号必须在第二个写数据字上拉高。

        DRAM接口数据采样，如图：

 3.读时序

        对于读时序没啥好说的，app_rd_data_valid输出高时，数据有效，如下图：（2：1和4：1没区别，当app_rd_data_valid为高时，接收数据就行了）