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建议用于2锂电池直流电机驱动,3节锂电池也能驱动,但风险较高,损害芯片的概率较高,不建议用于3节锂电。
重要的事情说3遍,请勿将该IC用于3锂电池的电机驱动,在3节锂电池应用情况下,稍不注意,即烧毁芯片。该芯片极限电压15V,推荐工作条件最高电压13.5V,3节锂电池满电时电压接近13V。
TB6612FNG是直流电机的驱动IC,输出晶体管在LD MOS结构,具有低导通电阻。两个输入信号,IN1和 IN2,可以选择 CW、CCW、短路等四种模式之一,刹车和停止模式。
电源电压:VM = 15 V(Max)
输出电流:IOUT = 1.2 A(平均)/3.2 A(峰值)
输出低导通电阻:0.5Ω(典型值上限+下限 @ VM ≥ 5 V)
待机(省电)系统
CW/CCW/短刹车/停止功能模式
内置热关断电路和低电压检测电路
小端面封装(SSOP24:0.65 mm 引脚间距)
本产品为MOS结构,对静电放电敏感。处理本产品时,通过使用接地带(导电器)确保环境免受静电放电垫子和负离子发生器。还要确保环境温度和相对湿度保持在合理的水平。
该参数意味着超过表格中的数值,芯片将损坏,这个是25度的参数,温度的变化将会造成参数略有变化。
下表为TB6612推荐的工作范围,可以看到VM可在1节锂电或2节锂电或3节锂电时工作,但在3节锂电满电时,VM电压接近13V,风险较高,因此不建议在3节锂电情况下工作。良好的设计,应给芯片留有余地,条件允许的情况下,可在电压极限参数的70%下使用,极限电压是15V,70%时是10.5V,因此不建议在高于10.5V的情况下使用该芯片。
IC处理注意事项
[1] 半导体器件的绝对最大额定值是一组不得超过,哪怕是片刻。不要超过这些等级中的任何一个。
超过额定值可能会导致设备故障、损坏或变质,并可能导致爆炸或燃烧造成的伤害。
[2] 使用适当的电源保险丝,以确保大电流不会连续流入过流和/或IC故障的情况。在以下条件下使用时,IC 将完全击穿当接线布线不当或异常时,超过其绝对最大额定值接线或负载产生脉冲噪声,导致大电流持续流动,并且故障会导致冒烟或着火。为了尽量减少大电流的影响,以防万一击穿,适当的设置,例如保险丝容量、保险丝时间和插入电路位置,是必需的。
[3] 如果您的设计包括电感负载(如电机线圈),请将保护电路集成到该设计可防止器件因电流引起的故障或击穿通电时的浪涌电流或反电动势产生的负电流关闭电源。 IC 击穿可能会导致人身伤害、冒烟或着火。
使用具有内置保护功能的 IC 的稳定电源。如果电源是不稳定,保护功能可能无法工作,导致IC击穿。IC 击穿可能导致受伤、冒烟或着火。
[4] 请勿以错误的方向或不正确的方式插入设备。
确保电源的正负极连接正确。
否则,电流或功耗可能会超过绝对最大额定值,并且超过额定值可能会导致设备故障、损坏或变质,并可能导致爆炸或燃烧造成的伤害。
此外,请勿使用任何以错误方向插入的施加电流的设备或者错误地甚至只有一次。
(1) 热关断电路
热关断电路不一定在所有情况下都能保护IC。如果热关断电路逆温运行,清除发热状态马上。
取决于使用方法和使用条件,例如超过绝对最大额定值可能导致热关断电路无法正常工作或IC在运行前击穿。
(2)散热设计
在使用功率放大器、稳压器或驱动器等大电流的 IC 时,请设计装置使热量得到适当的辐射,不超过规定的结温(Tj)任何时间和条件。即使在正常使用期间,这些 IC 也会产生热量。IC 热量不足辐射设计会导致 IC 寿命缩短、IC 特性恶化或 IC 击穿。
此外,请在设计设备时考虑到 IC 热辐射的影响外围组件。
(3) 反电动势
当电机以相反方向旋转、突然停止或减速时,电流会流回电机的电源由于反电动势的影响。如果电源的电流吸收能力电源量小,器件的电机电源和输出引脚可能会暴露在各种条件下超出绝对最大收视率。为避免此问题,请将反电动势的影响带入系统设计中的考虑因素。
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