存储器家族

从网上看到的老图；

按照存储器存取功能，存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM两大类。 RAM(Random Access Memory，缩写为RAM)可以随机写入或读出，读写速度快，读写方便。缺点是电源断电后，被存储的信息即丢失，RAM主要用于存放各种数据。
ROM(Read only Memory，缩写为ROM)一般用来存放固定程序和数据。其特点是信息写入后，能长期保存，不会因断电而丢失。所谓“只读"，指一般不能写入。当然并非完全不能写入，要对ROM写入必须在一定条件下才能完成写入操作。

什么是PROM,EPROM,EEPROM？

　　PROM，Programmable read-only memory的缩写，意为可编程只读存储器。PROM是一种简单的可编程逻辑器件（PLD）。早期的可编程逻辑器件只有可编程只读存贮器（PROM）、紫外线可按除只读存贮器（EPROM）和电可擦除只读存贮器（EEPROM）三种。由于结构的限制，它们只能完成简单的数字逻辑作用。

紫外线擦除可编程只读存储器（EPROM）：是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损

电擦除可编程只读存储器（E2PROM）：一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

　由EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。

狭义eeprom与广义eeprom "flash"

知乎上面对狭义eeprom与flash的解释

"EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义，属EEPROM无疑，首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的多数Flash手册上也是这么标明的，二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者，主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同，次要的原因是为了语言的简练，非正式文件和口语中Flash EEPROM就简称为Flash，这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简单，同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。"

FLASH是一种非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），根据结构的不同可以将其分成NOR FLASH和NAND FLASH两种。但不管哪一种都具有如下特点：

（1）区块结构FLASH在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。比如NOR FLASH把整个Memory分成若干个Sector，而NAND FLASH把整个Memory分成若干个Block；

（2）先擦后写由于FLASH的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦操作，将预写入的数据位初始化为1。擦操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

（3）操作指令除了NOR FLASH的读，FLASH的其它操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操 作。比如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令（NOR FLASH），或者完成一段时序（NAND FLASH）才能将数据写入到FLASH中。

（4）位反转由于FLASH固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误。这就是位反转。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。

（5）坏块FLASH在使用过程中，可能导致某些区块的损坏。区块一旦损坏，将无法进行修复。如果对已损坏的区块进行操作，可能会带来不可预测的错误。尤其是NAND FLASH在出厂时就可能存在这样的坏块（已经被标识出）。

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

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