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研究背景:AlGaN/GaN HEMT因其在高电压、高温和高频率下的操作能力而受到关注,尤其在航空航天和汽车应用中,其辐射响应变得尤为重要。重离子辐射可能导致绝缘体失效,即单事件效应(SEEs)引起的栅介质击穿。
实验目的:研究AlGaN/GaN HEMT在不同偏压、离子LET(线性能量传递)、辐射通量和总粒子数下对重离子辐射的耐受性。
实验方法:
实验结果:
电压依赖性:
LET和通量依赖性:
结论:
这篇论文提供了对AlGaN/GaN HEMT在辐射环境下性能影响的深入理解,对于设计和应用这些器件在高辐射环境中具有重要意义。
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