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缩写 | 全称 | 中文 |
物理量符号 V | voltage | 电压(单位:V伏特 volt) |
物理量符号 R | resistance | 电阻(单位:Ω欧姆 ) |
物理量符号 I | Electron flow(Current) | 电流(单位:A安培 ampere) |
"P"型半导体 | positive hole | 空穴型半导体 |
"N"型半导体 | Negative | 电子型半导体 |
VD | diode | 二极管 |
Vdd | Voltage Drain Drain | 正电源输入、电源电压 |
VT | triode | 三极管 |
UZ | 稳定电压 | |
UD | Positive guide voltage | 正向导通电压(硅管0.7V,锗管0.3V) |
UREF | Reference voltage | 基准电压 |
集电极 c | collector | 集电极 |
发射极 e | emitter | 发射极 |
基极 b | base | 基极 |
视频资料: B站 清华 华成英 模拟电子技术基础 https://www.bilibili.com/video/BV19s411a7KL
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子, 形成内电场, 从而阻止扩散运动的进行. 内电场使空穴从N区向P区 , 自由电子从P区向N区运动, 又叫作漂移运动.
参与 扩散运动 和 漂移运动 的载流子数目相同, 达到动态平衡, 就形成了PN结.
前置知识点:
① P区连接直流电源正极, N区连接直流电源负极, 外电场削弱内电场, 耗尽层变窄, 扩散运动加剧, 形成扩散电流(电子的定向运动产生电流), PN结导通. (多数载流子运动)
② N区连接直流电源正极, P区连接直流电源负极, 外电场和内电场一致, 耗尽层变宽, 加剧漂移运动, 阻止扩散运动. 由于电流很小(电子的定向运动产生电流)(少数载流子运动), 故可以近似认为其截止.
前置知识点:
导体中的电流是由电场决定,而此电场又是由分布于导体表面和内部的不均匀电荷所产生的。
理想导线中,既然电荷在运动,必定有纵向电场,根据U=Ed,该有电势差吧?没有!虽然有电场,但是最终的电场是垂直于导线表面,电势差U全部降在电阻上,因为电阻上有切向电场(因为导线和电阻连接处的电荷分布不同导致),如下图所示
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