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缓存系列文章链接如下:
高并发下的分布式缓存 | 缓存系统稳定性设计
高并发下的分布式缓存 | 设计和实现LRU缓存
高并发下的分布式缓存 | 设计和实现LFU缓存
高并发下的分布式缓存 | Cache-Aside缓存模式
高并发下的分布式缓存 | Read-Through缓存模式
Write-Through 模式的思路与Read-Through模式类似,但有一个关键的区别:在这里,缓存负责处理写操作。因此,每当应用程序想要写入一些数据时,它将首先直接写入缓存。同时,缓存系统会将数据同步更新到主数据库中,当缓存和数据库的写操作都完成后,写操作才会被认为完成。这样可以尽量确保缓存中的数据与数据库中的数据保持一致。
那么,数据的读取呢?由于架构类似于Read-Through模式,因此我们可以轻松地和Read-Through模式结合。应用程序首先会在缓存中查找数据,如果数据存在,缓存将返回数据。如果数据不存在,缓存将从数据库中获取数据,然后将数据保存在缓存中并将其返回给应用程序。
这种组合即吸取了Read-Through策略的快速读操作优势,又利用了Write-Through策略的数据一致性优势。但是,也有一个显著的缺点:这将引入额外的写操作延迟,因为写操作必须先到缓存再到数据库(两次写操作)。有没有办法解决这个延迟问题?我们可以将Write-Through模式与Cache-Aside模式结合使用吗?探索并思考一下!
由于在Write-Through模式下每次写入数据时,都会同时更新缓存和数据库,这最大程度上能确保缓存中的数据和数据库中的数据始终保持一致,有助于避免缓存中的陈旧数据,并且任何后续的读操作都会非常快。因此,当对数据一致性要求比较高时,可以考虑Write-Through模式。
Write-Through 模式在数据写入时立即更新数据库,因此即使缓存系统出现故障或崩溃,也不太可能丢失数据。
由于每次写操作都需要同步更新数据库和缓存,写操作的延迟会较高,如果系统的写操作频繁发生,比如一个非常活跃的社交媒体平台,每次用户发帖、评论或点赞都要更新数据库和缓存,那么这会导致系统变得慢下来。
另一方面,持续的写操作可能会将有用的数据从缓存中淘汰。让我们来理解这一点!每次写操作都被强制通过缓存。因此,缓存可能会被频繁写入的数据或不经常访问的数据占用。这样一来,可能只剩下很少的空间留给其他可能从缓存中受益的数据。因此,当写操作频繁时,Write-Through缓存模式不是一个好的选择。
从某种意义上说,在Write-Through模式缓存中似乎不需要缓存淘汰策略,因为缓存始终与数据库保持一致。但实际上情况并非如此!我们仍然需要定义 TTL(生存时间)或其他淘汰策略(如 LRU 或 LFU)。为什么?原因有几个:
尽管缓存与数据库一致,但这并不意味着每一条数据都应该无限期地保存在缓存中。无限期地存储所有数据可能导致缓存使用效率低下。
正如我们上面看到的,Write-Through可能会将不必要的数据填充缓存。通过为每次写操作添加生存时间 (TTL) 值,我们可以避免将额外的数据填满缓存,确保缓存中保留最常访问的数据。
当写操作成功地将数据写入缓存,但在写入数据库时失败,可能导致缓存和数据库之间的数据不一致性。如何处理这种不一致性?
常用的解决方案:
public void writeThrough(String key, String value) {
try {
cache.put(key, value); // 更新缓存
database.update(key, value); // 更新数据库
} catch (Exception e) {
// 记录日志,处理异常,可能是重试或回滚缓存
cache.remove(key); // 如果数据库写失败,清除缓存
}
}
可以考虑采用以下方法优化写操作的性能:
例如:
public void asyncWrite(String key, String value) {
new Thread(() -> {
try {
cache.put(key, value);
database.update(key, value);
} catch (Exception e) {
// 处理异常
}
}).start();
}
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