NAND的行列地址_nand row 3地址

如何计算Nand Flash要传入的行地址和列地址

 　　在介绍具体读取数据的详细流程之前,还要做一件事,那就是,先要搞懂我们要访问的地址,以及这些地址,如何分解后,一点点传入进去,使得硬件能识别才行。

 

    此处还是以 K9F8G08U0A 为例,此Nand Flash,一共有8192 个块,每个块内有 64 页,每个页是 2K+64 Bytes,假设,我们要访问其中的第7000个块中的第 64 页中的 1208 字节处的地址,此时,我们就要先把具体的地址算出来:

  

    物理地址 = 块大小×块号+页大小×页号+页内地址

            =7000×128K+64×2K+1208

            =0x36B204B8

 

    接下来,我们就看看,怎么才能把这个实际的物理地址,转化为 Nand Flash 所要求的格式。在解释地址组成之前,先要来看看其datasheet 中关于地址周期的介绍:

   

结合图,我们可以看出,此 Nand Flash 地址周期共有 4 个,2 个列(Column),2个行(Row)周期,而对于对应地,我们可以看出,实际上,列地址 A0~A10,就是页内地址,地址范围是从0 到2047,而对出的 A11,理论上可以表示 2048~4095,但是实际上,我们最多也只用到了2048~2011, 用于表示页内的oob区域,其大小是 64 字节。对应地,A12~A27,称作页号,页的号码,可以定位到具体是哪一个页。而其中,A18~A27,表示对应的块号,即属于哪个块。

 

    简单解释完了地址组成,那么就很容易分析上面例子中的地址了:

 

   0x36B204B8 = 0011 0110 1011 0010 0000 01001011 1000,分别分配到5个地址周期就是:

   1st周期,A7~A0:     1011 1000 = 0xB8

   2nd周期,A11~A8:    0000 0100 = 0x04

   3rd周期,A19~A12:    0010 0000 = 0x20

   4th 周期,A27~A20:    0110 1011 = 0x6B

   5th 周期,A30~A28:     0000 0011 = 0x03

 

    注意,与图中对应的*L,意思是地电平,由于未用到那些位,datasheet中强制要求设为0,所以,才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之后的位也是类似原理,都是 0。

 

    因此,接下来要介绍的,我们要访问第 7000个块中的第 64 页中的 1208 字节处的话,所要传入的地址就是分 5 个周期,分别传入两个列地址:0xB8,0x04,然后再传3个行地址:0x20,0x6B,0x03,这样硬件才能识别。

 

 

 

/*******************************add by zhang , 20150106**************/

                            NF_ADDR((ColAddr)&0xff);

                            NF_ADDR(((ColAddr)>>8)&0xff);

                            NF_ADDR((SectorAddr)& 0xff);

                            NF_ADDR((SectorAddr>>8)& 0xff);

                            /************************************addend*************************/