太劲爆了，MCU上5nm工艺了！_s32n55

​NXP正式推出了全球首款5纳米汽车MCU，满足实时性、安全内核、ASIL-D级标准，支持包括CAN、LIN、FlexRay、车载以太网、CAN-FD、CAN-XL以及PCIe等网络接口，当然不再有eflash，只有SRAM。和景芯SoC训练营一样，

芯片设计—其实很简单！

MCU在40纳米制造工艺徘徊近十年，最主要的因素还是受限于MCU内部的嵌入式闪存（eFlash）本身制程。

闪存的制造工艺扩展到40nm以下非常困难，不仅要考虑各种参数和成本，同时很难集成到非常复杂的高K金属栅极技术中。于是MCU大厂分别找eflash的替代方案：

• 瑞萨和NXP：都选择了STT-MRAM

• 意法半导体：选择了PCM（相变存储器）

• 英飞凌：选择了RRAM技术

这款5nm MCU S32N55内部包含4个实时运算单元，每单元一个4核心的Cortex-R52。R52典型制造工艺是16纳米，最高时钟频率大约1.6GHz，性能一般是2.72DMIPS/MHz，S32N55的R52频率是1.2GHz，算力就是16*1200*2.72=52KDMIPS，景芯训练营A72的CPU最高频率做到了2.5GHz，未来MCU将会卷向高端工艺、高频、低功耗的场景，大家努力冲！

2.5GHz A72 DVFS后端TOP实战开始了