02_nand基础概念_nand的vth

基础概念

Vth分布电压

阈(yu)值电压，用于判断每个单元（cell）存储的状态数据值。一个单元划分的状态越多，控制进入栅极的电子越精细，写入的时间就越长。例如下图MLC存储单元四种状态就有四种值“11”“10”“01”“00”。

Row/Col Address

Row address：行地址 Column Address：列地址
行地址表示 LUN, Block, Page的地址。列地址表示的是page内部偏移的地址。一般来说，列是由2个Bytes地址组成，而行是由3个Bytes地址组成。行地址的位宽由flash的容量决定（block可能一个字节不够表达）

*有一些功能函数只需要发送行地址的LUN和Block即可，eg：擦除（Erase）。

LSB/CSB/MSB

   LSB：最低有效位。MSB：最高有效位。CSB：中央有效位。
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单元上CSB在TLC(3bits)更能体现出来，数据的写入遵循从低位到高位（LSB->CSB->MSB）

Upper page和lower page
Upper/lower page同时绕不开LSB和MSB概念，其实这只是一个映射关系。通过cell与其中的关系就能更易懂了，cell是物理存储单元。eg：MLC的cell由两个bit组成，因此存在LSB位和MSB位，LSB对应着lower page，MSB对应着upper page。
由cell的写原理知道，先写低位再写高位，因此Upper page的编写时间长，lower page的写时间短。
Lower page编写：
1． 写1，vth不变，保持擦除状态；
2． 写0，vth升高，达到“10”或“00”所需要的电压值；
Upper page编写：
1． 写1，Vth不变，保持擦除状态；
2． 写0，那么：
若lower page是‘1’，Vth将会升高到“01” 电压值；
若lower page是‘0’，Vth将会升高到“00” 电压值；

内存寻址
芯片模型图（举例）

*L must be set to “low”

列地址A0-A11：
页内地址，地址范围时0—4096，与页内地址（2k+64）对应，其实只需要A0-A10，而A11是用于表示oob区域（spare区）也就是图中多出64bytes。
行地址A12-A28:
表示LUN, BLOCK和PAGE地址，具体位宽根据flash容量大小设置，从数据手册得知。
*有一些功能函数只需要发送行地址而不需要发送列地址，eg：擦除（Erase）。

OOB/Spare Area

每个页都有一块区域，叫空闲区域。数据在读写的时候容易出错，为了保证数据正确性，要有对应的纠正机制（ECC），所以该区域用于存放数据的校验值。
OOB的读写是随着页的操作一起完成。
用途：
标记所处的block是否为坏块。
存储ECC数据。
存储一些和文件系统相关的数据。

Close/Open Block

对于一个Block里面，含有许多的page，假如Block0里面有255个page，那么在写入数据的时候，如果写了255个page的话，那么就叫做Close Block，如果从page0开始写，但是没写到page255的话，那么就叫做Open Block。