scenario知识点总结_scenario为pvt

名词解释：

PVT：process（工艺制程），voltage（工作电压），temperature（工作温度）

RC corner：TLU+

MMMC：multi mode multi corner

OCV：on-chip viration

constraints：mode/SDC

WCBC：worst case best case

scenario组成：

scenario=PVT+mode(function mode or test mode)（SDC constraints）+parasitic view(TLU+、SPEF)

根据不同的PVT条件，测试mode和parasitic view可以确定不同的scenario。在芯片设计中，考虑电池使用时长等因素，会利用DVFS table，在不同的电压和频率档位进行变换。测试多个scenario，可以测试芯片在不同的情形下是否可以正常使用。

根据开关线性RC模型：当输出电压达到50%电压值时所用时间为：

$^{t_{p}}=ln2*RC$

所以RC越大,delay越大.

Analysis type：

OCV：检测setup time时，lauch path使用快速scenario条件，capture path使用慢速scenario条件。检测hold time时，lauch path使用慢速scenario条件，capture path使用快速scenario条件。

WCBC测试方法：检测setup time时，使用最快的scenario条件，即best case。检测hold time时，使用最慢的scenario条件，即worst case。

AOCV和POCV：见https://blog.csdn.net/hepiaopiao_wemedia/article/details/98985633

因此使用OCV模式更好。