JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作（4.24）_tdqsck

4.24 读操作

4.24.1 读时序定义

此章节中描述的读时序参数可在DLL锁定或未锁定的状态下使用。
读选通信号上升沿参数：

• tDQSCK min/max描述了数据选通信号上升沿与CK_t, CK_c之间的关系。
• tDQSCK是数据选通信号与CK_t, CK_c之间的世界延时关系。
• tQSH描述了DQS_t, DQS_c差分输出的高电压时间
• tDQSQ描述了DQ引脚上一次有效传输最后的时间
• tQH描述了DQ引脚最早的一个无效数据的时间

读选通信号上升沿参数：

• tQSL描述了DQS_t, DQS_c差分输出的低电压时间
• tDQSQ描述了DQ引脚上一次有效传输最后的时间
• tQH描述了DQ引脚最早的一个无效数据的时间
  
  
  

4.24.1.1 时钟与数据选通信号之间的关系

此章节中描述的读时序参数可在DLL锁定或未锁定的状态下使用。
读选通信号上升沿参数：
• tDQSCK min/max描述了数据选通信号上升沿与CK_t, CK_c之间的关系。
• tDQSCK是数据选通信号与CK_t, CK_c之间的世界延时关系。
• tQSH描述了数据选通信号的高电平脉冲宽度
读选通信号下降沿参数：
• tQSL描述了数据选通信号的低电平脉冲宽度
• tLZ(DQS), tHZ(DQS) 用来描述前导区域与后导区域

4.24.1.2 数据选通信号与数据信号的关系

下图中所示的数据选通信号与数据信号的关系适用于DLL 锁定或未锁定的情况。
数据选通信号的上升沿参数：
• tDQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
• tQH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.
数据选通信号下降沿参数：
• tDQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
• tQH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.

4.24.1.3 tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ)计算

在有效数据传输时，tHZ与tLZ的时间窗口时同时的。当设备输出不再驱动tHZ(DQS)与tHZ(DQ)，或设备输出开始驱动tLZ(DQS), tLZ(DQ)时，此参数参考的是标准中指定的电压水平，如下图所示，此参数的计算点通过测量两个不同的电压值得到。实际的电压测量点或许没有计算得到的结果那么准确。参数tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ)都是单端计算得到。

4.24.1.4 tRPRE计算

下图中描述了tRPRE差分脉冲宽度的计算。

4.24.1.5 tRPST计算

下图中计算了tRPST差分脉冲宽度的计算。

4.24.2 读突发操作

DDR4 SDRAM支持BC4、BL8或者OTF（OTF基于A12的值，可选择突发类型是BC4或BL8），同时自动预充电功能可选择打开或者是关闭。

4.24.3 读突发操作后的PRE命令

对于同一Bank之内的外部读命令与PRE命令之间的最小时间间隔为AL + tRTP，tRTP为内部读命令到PRE命令之间的延时。注意最小的ACT到PRE之间的延时为tRAS，也必须被满足。内部读命令到PRE命令之间最小的时间间隔为tRTP.min，若如下两种情况满足，可向DRAM的同一个Bank发送一个新的ACT命令。
1. 从PRE命令时钟上升沿开始，最小的RAS预充电时间（tRP.min）已满足。
2. 从上一个Bank的ACT命令的时钟上升沿开始，最小的RAS周期（tRC.min）已满足。
下图中描述了读命令到PRE命令的时序图。

4.24.4 DBI功能开启下的读突发操作

4.24.5 C/A Parity功能开启下的读命令

4.24.6 写CRC开启下的读命令到写命令

4.24.7 在CS到CA延迟开启下的读命令到读命令