Flash、E2PROM原理，区别

Flash原理：

Flash存储器是一种基于非挥发性存储技术的存储器，常用于存储程序代码和数据。它被分为多个扇区，每个扇区可以被独立擦除和编程。Flash存储器的工作原理是利用电子漂移现象，通过在晶体管中储存电荷来表示数据的位状态。擦除操作会将整个扇区的位状态清零，编程操作会将位状态设置为1。擦除和编程操作都需要高电压和特定的操作序列。

E2PROM原理：

EEPROM（可电擦可编程只读存储器 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写的非挥发性存储器，可以在电子设备中存储和读取数据。EEPROM的工作原理是利用电子隧道效应，通过在细小的浮栅结构中存储电荷来表示数据的位状态。相比于Flash存储器，EEPROM在编程和擦除操作上更为灵活，可以以字节为单位进行操作，而不需要擦除整个扇区。然而，EEPROM的写入速度相对较慢，且有限的擦写寿命限制了其使用次数。

不同点：

1.擦除方式（改写）：flash擦除或者改写时整片（扇区）擦除，而E2PROM可以按照每个位或者每个字节擦除改写，
2.寿命不同：在使用寿命上，E2PROM擦除寿命比Flash擦除寿命短，通常在10万次左右，而Flash存储器的擦写寿命更高，通常在10万次以上。
3.功耗和体积不同：由于Flash的工作原理，它在擦写和编程操作时需要较高的电压，因此功耗相对较高。E2PROM存储器在功耗方面更为节能。此外，由于EEPROM需要更多的浮栅结构，其芯片体积较大。
4.成本上：因为EEPROM内存结构更加复杂，EEPROM的成本比 flash高
5.内存大小上：目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，较少有超过512K的。flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小。

总结

总的来说，Flash存储器适用于需要较大存储容量和较高速度的应用，而EEPROM适用于需要较小存储容量、频繁擦写和编程的应用。