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FPGA-A7板级电源硬件实战01_哔哩哔哩_bilibili
Artix-7 FPGA电源有VCCINT, VCCBRAM, VCCAUX, VCCO, VMGTAVCC和VMGTAVTT。
《7_Series_XPE_2019_1_2》 excel算法
VDDQ
//DDR3和DDR4内存颗粒的具体电流与电压之间的关系会因产品的制造商和型号而略有不同。此外,电流峰值大小也受芯片的封装、时序参数、不同的频率、负载大小、供电电压等多个因素。
如果需要更加精确地计算电流峰值,需通过特定内存型号的规格书或者厂家提供的数据手册来进行查询。
一般采用的DDR3和DDR4内存的标准电压分别为1.5V和1.2V。
VTT
//VTT(终端电源)是DDR3和DDR4内存中用来提供电源的电压之一,通常在0.6V到1V之间。
DDR3和DDR4内存中VTT所对应的电流大小一般与负载电容和时序参数有关系,并且随着工作频率的提高而增加。根据参考资料和经验法则,当DDR3内存单颗粒上面的VTT电压在标准值(0.75V)下工作时,最大电流一般在20mA左右。而DDR4内存单颗粒上面的VTT电压在标准值(0.6V)下工作时,最大电流一般在10mA左右。
需要注意的是,以上数值仅供参考,VTT电流大小还受到具体内存型号、负载和工作条件等多种因素的影响。如果需要更精确的数据可以参考内存规格书或者厂商提供的数据手册。//
(镁光)
电源 | 功能 |
+3.3V | FPGA Bank0 , Bank13 ,Bank14的VCCIO, QSIP FLASH, 差分Clock 晶振 |
+1.8V | FPGA辅助电压, TPS74801供电 |
+1.0V | FPGA的核心电压 |
+1.5V | DDR3, FPGA Bank34和Bank35 |
VREF、VTT | DDR3 |
VCCIO | FPGA Bank15, Bank16 |
MGTAVTT | FPGA GTP收发器Bank216 |
MGTAVCC | FPGA GTP收发器Bank216 |
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