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注:对于电容的理解,电容能通过交流电,不能直接通过直流电。电流就是正电荷的流动,就类似水流,电压是高度差,是动力源。当金属两端或者两段金属间有电压差时,电流(正电荷)就有从电压高的地方流向电压低的趋势和动力,那么电容接正极那端就会聚集正电荷,正电荷的聚集又会吸引接GND那端聚集负电荷,从而形成了一个电池充电。
对于三极管,当栅极接GND时,栅极和衬底都是GND是不会有电荷移动的。当栅极接Vdd时栅极与衬底形成电容器,开始在氧化物下面聚集负电荷,从而将该区域变成一个N结,最终源极与漏极导通。
利用mos管可以输出逻辑1(pMOS)和0(nMOS),电压和电流都是连续信号,但电路处理处理的都是离散信号,所以就规定了逻辑电平TTL,低范围电压是0,高范围电压是1,而操作A级的高低电平刚好能输出这种逻辑电平
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