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模拟电子技术(二)基本放大电路_模电放大电路

模电放大电路


放大概念

小功率信号变成一个大功率信号,需要一个核心器件(三极管)做这件事,核心器件的能量由电源提供,通过核心器件用小功率的信号去控制大电源,来实现能量的转换和控制,前提是不能失真,可以用一系列正弦波进行观测

  • 电子电路放大的基本特征:功率放大 (即不单是电流或是电压)
  • 放大电路的本质:能量的控制和转换
  • 放大电路中必要条件:有源元件(能够控制能量)
  • 放大的前提条件:不失真(只有在不失真的情况下的放大才有意义)
  • 放大电路核心元件:晶体管(工作在放大区)和场效应管(工作在恒流区)
  • 测试信号:正弦波(任何稳态信号都可以分解为若干频率正弦信号)

主要性能指标

在这里插入图片描述

放大电路得到的信号就是Ri与Rs对Us的分压

  1. 放大倍数 A 通常研究电压放大倍数Au
  2. 输入电阻 Ri
  3. 输出电阻Ro
  4. 通频带
  5. 非线性失真系数
  6. 最大不失真输出电压
  7. 最大输出功率与效率(功率放大电路)

基本共射放大电路

有效放大的条件

  • 静态:静态工作点要设置合适(直流电源、合适的电阻),使晶体管始终工作在放大区,静态工作点位置直接影响放大信号是否失真,是否能得到最大幅度的放大
  • 动态:要保证实现信号的耦合(交流信号必须能够输入、传递到放大电路中,且放大后的交流信号能够对外输出、传递给负载或后级电路)

基放的组成及各元件作用

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  • 直流源VBB:产生小信号的交流源Ui本身很小,不能使发射结导通,所以单有Ui时,iB=0,需要加直流源VBB先导通发射结,与此同时产生了附着在直流IB上的变化的 ib

  • 直流源VCC:放大电路的能源,并保证集电结反偏

  • 晶体三极管:工作在放大区(发射结正偏,集电结反偏)
    控制Vcc所提供的能量
    注意管子的类型:NPN(Vc>Vb>Ve)、PNP(Vc<Vb<Ve)

  • 电阻Rb:限流,防止电流过大将器件烧坏

  • 电阻Rc:将电流信号变换为电压信号

  • 加耦合电容:过滤直流分量,获得纯的放大的交流电压信号
    隔直通交

共射放大电路工作原理

共发射极接法的交流电压放大电路
输出与输入反向位

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两种共射放大电路

  1. 直接耦合
    Rb1保证了Vb是由交、直叠加而成的
    如果不加Rb1,基极的电位就是Ui。Vcc产生的电流会走Ui支路流向地,而不是走发射结支路。所以在此处加电阻Rb1,使基极的电位Vb为交流、直流电压源经过两个电阻降压之后的叠加。
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  2. 阻容耦合
    电容作用:通交隔直(交流短路;直流断路)
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直流通路与交流通路

直流通路 交流源置零(短路);电容断路
交流通路 直流源置零(接地、短路);电容短路
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放大电路分析方法

晶体管一定要工作在放大区

  • 静态分析指标:IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ
    直流通路,交流输入信号置零,电容开路,电感短路

  • 动态分析指标:Au(大)、Ri(大)、Ro(小)
    交流通路,直流输入信号置零,电容短路,电感保留

  • 静态叠加动态

  • 静态决定动态

  • 先静态,后动态,动态参数与Q点密紧密相关,只有Q点合适,动态分析才有意义

图解法 (静态分析)

  • “负载外特性曲线”与“输入输出曲线”交点为静态工作点Q在这里插入图片描述

  • 步骤:
    输入回路:
    列写KVL——改换成UBE为x,ib为y的方程——可以得到斜率为-1/Rb——分别使UBE=0、ib=0——得到横、纵截距
    输出回路:
    列写KVL——改换成UCE为x,ic为y的方程——可以得到斜率为-1/Rc——分别使UCE=0、ic=0——得到横、纵截距

  • 估算法
    定义 |UBEQ| 硅管:0.7V 锗管:0.2V,列KVL,求解各个静态量
    本质:将晶体管的输入伏安特性曲线改为一条垂直于横轴的线,即认为UBEQ是一个定值
    计算UCEQ时一定要用电位相减计算,即UCEQ=UCQ-UEQ
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等效电路法(动态分析)

h参数等效模型
动态只研究Δui、Δib、Δic、Δuo之间的关系
注意:Uo与iC参考方向相反

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共射放大电路的动态参数分析
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  • r(be) 、UT=26mV、 r(bb)与β在题目(参数手册)中
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  • 电压放大倍数
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  • 输入电阻
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  • 输出电阻
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注意

对于下图放大电路,在动态分析求输出电阻Ro(下图中的Rc)时,方法:从输出端往里看,保留受控源,将独立源置零(独立电压源短路,独立电流源开路),此时Ui短路 ib=0,致使受控源(βib)相当于开路处理
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电路理论基础知识复习(Ri、Ro)

  • 输入电阻,从输入端往里看
    Ri相当于信号源的负载,与信号源内阻串联分压
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    • 从稳定输入电压角度,Ri越大越好,使Ui越接近Us
    • 从稳定输入电流角度,Ri越小越好,使Ii越接近Is
  • 输出电阻,从输出端往里看
    空载时负载没有输出电流,输出电压等于开路电压U’。
    放大电路的输出相当于“放大电路负载的信号源”,输出电阻为“信号源内阻”
    求解Ro:独立源置零,受控源保留,外加电源法
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    • 从稳定输出电压角度,Ro越小越好,使Uo越接近Uo’
    • 从稳定输出电流角度 ,Ro越大越好,(相当于一个电流源,内阻为∞)输出电流恒定
  • 放大电路的输出电阻大小,要视负载的需要而定

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  • 多级放大
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几种典型的基本放大电路

  • 戴维南等效
    输出回路求UCEQ:由于RL分流,利用戴维南等效定理计算更方便,将输出回路等效为VCC’与Rc‘串联,VCC’是电路空载时端电压的值,即Rc、RL串联分压时RL上的电压
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  • 直接耦合共射放大电路
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    输出电阻与负载RL无关!!!!!!

  • 阻容耦合共射放大电路
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    输入电阻与信号源内阻Rs无关!!!!!
    输出电阻与负载RL无关!!!!!!

  • 静态工作点稳定的放大电路
    详细内容参见下问:放大电路静态工作点的稳定章节

放大电路的失真分析

静态工作点设置不合适,晶体管可能会工作在截止区或饱和区,无法保证对交流信号实现有效的放大。
失真,是信号在传输过程中与原有信号相比所发生的偏差(波形出现畸变)。

静态工作点设置不合适导致的两种失真

以NPN单管共射放大电路为例
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截止失真

Q点过低,输入信号负半轴靠近峰值的某段时间内,无法满足发射结正偏(即此时UBE<Uon),导致T在截止区引起的输出波形失真

底部失真:ib、ic、Ui
顶部失真(截止失真):Uo<Vcc
消除截止失真:升高Q点
1. 增大基极电源(增大UBEQ)
2. 减小基极电阻Rb(增大UBEQ)

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饱和失真

Q点过高,输入信号正半轴靠近峰值的某段时间内,无法满足集电结反偏(即此时UBE>UCE),导致T在饱和区引起的输出波形失真
顶部失真:ic
底部失真(饱和失真):Uo>UCES
消除饱和失真:降低Q点
1. 增大基极电阻Rb(减小IBQ、ICQ);
2. 减小集电极电阻Rc(增大UCEQ);
3. 更换一只β较小的管子

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放大电路中存在的另一种失真

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最大不失真输出电压

输入电压再增大,就会产生失真的,输出电压极限的有效值
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静态工作点稳定的共射放大电路

静态工作点稳定

  • Q点会影响电路是否失真和Au、rbe等动态参数
  • 影响Q点的主要因素:晶体管参数(温度变化,使β变化)
    温漂:由温度变化引起Q点移动
    T升高——β增大——ICQ增大——UCEQ减小
  • 稳定的Q点:环境温度变化时,ICQ、UCEQ基本不变,即Q点在输出特性坐标平面中的位置基本不变
  • 为使Q点稳定:直流负反馈;温度补偿

分压式电流负反馈Q点稳定电路 (实现了实现静态工作点稳定,)
四电阻阻容耦合共射放大电路)
旁路电容Ce:静态、动态分离

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晶体管单管放大电路的三种基本接法

共射放大电路

发射极是输入、输出的公共端

共集放大电路

  • 静态分析
    与共射放大电路类似,注意基极输入,发射极输出
    集电极是输入、输出的公共端
    在这里插入图片描述
  • 动态分析
    b、e在上方,c接地画在下方
    电阻归置,e归置到b乘(1+β);b归置到e除以(1+β)
    (大到小乘法,小到大除法)
    • Ri与输出侧有关,求解时,从输入端往里看将右侧电阻逐一向左边等效。e归置到b
    • Ro与输出侧有关,求解时,独力源短路,保留信号源内阻,从输出端往里看,将左侧电阻逐一向右边等效。b归置到e
      在这里插入图片描述
      注意:含有集电极电阻的共集放大电路中,静态分析要考虑Rc,动态分析时Rc可忽略。因为与电流源串联的电阻无用,不影响电流源所在支路的电流(该支路电流已被电流源固定),动态参数不变

共基放大电路

  • 静态分析
    与共射放大电路类似,注意发射极输入,集电极输出
    基极是输入、输出的公共端
  • 动态分析
    e、c在上方,b接地画在下方
    注意输入端、输出端,再进行归置
    在这里插入图片描述

三种基本接法小结

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作用接法备注
电压放大共射、共基
电流放大共射、共集
倒相作用共射
带负载能力强
(输出电阻小)
共集共集的Ro与输入侧参数有关
向信号源索取电流小
(输入电阻大)
共集共集的Ri与输出侧参数有关
中高频特性好共基
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