理解Nand Flash原理图_wp#擦写时序

# HW 学习例子

• S3C2440 Chip -> Nand flash控制器
• K9F2G08U0A Nand Flash芯片

 

# K9F2G08U0A - Nand Flash 原理图理解

上图的左边为K9F2G08U0A与2440的连接图，右边的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。

• IO0 - IO7  传地址也传数据
• CLE 低电平表示传命令
• ALE 低电平表示传地址
• CE 片选，当2440要操作访问Nand的时候，首先必须选中。
• RE 读状态，当RE为低的时候，表示数据由Nand流向2240; 
• WE 写状态，当RE为低的时候，表示数据由2240流向Nand；
• WP  写保护,只能写，不能擦除。 
• R/B 工作状态，工作中拉低，Done拉高表烧写完成

 

 

 

# 写命令时序图

 

首先CE发出片选信号，CLE发出高电平，IO 0-7将命令驱动出去，WE写脉冲，在写脉冲的上升沿，Nand flash在上升沿，将IO 0-7中数据读取出来。

 

 

 

# 写地址时序图

 

 CE片选, ALE由低变高，IO 0-7驱动 数据，WE发出写脉冲。

 

 

 

# 写数据时序图

 

CE选中，ALE、CLE低电平，2440 IO 0-7驱动 数据，WE写信号，Nand flash根据ALE、CLE低电平，读取数据。

 

 

 

# 读数据时序图

 

CE低电平选中，RE由高变为低（Nand flash收到RE由高变低时，马上准备数据，然后在RE的上升沿将数据发送出去），Nand flash 驱动数据到IO 0-7，在上升沿，2440取数据。

 

 

 

# 如何设置时序

1. 看2440手册，确定能设置哪些参数。 
2. 看外设（如Nand flash）手册,确定取值 
3. 计算

 

 

# 2440-Chip中Nand FLASH控制器的特性:

• 一个引导启动单元
• Nand Flash存储器接口，支持8位或16位的每页大小为256字，512字节，1K字和2K字节的Nand flash
• 软件模式：用户可以直接访问Nand Flash存储器，此特性可以用于Nand Flash存储器的读、擦除和编程。
• S3C2440支持8/16位的Nand Flash存储器接口总线
• 硬件ECC生成，检测和指示(软件纠错)。
• Steppingstone接口，支持大/小端模式的按字节/半字/字访问。

 

# 具体操作简述

配置引脚NCON，GPG13，GPG14和GPG15用来设置Nand Flash的基本信息，Nand控制器通过读取配置引脚的状态获取外接的Nand Flash的配置信息。

2440这些引脚发出的数据，必须满足Nand flash的时序要求。需要查看2440芯片手册，查看设备哪个寄存器的某些位来控制时序。

Github地址：https://github.com/kumataahh